[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种显示基板，包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的发光元件以及设置在所述发光元件上的封装层；所述显示基板还包括驱动电路，所述驱动电路与所述发光元件连接，被配置为驱动所述发光元件，所述驱动电路包括驱动晶体管，所述驱动晶体管包括有源层，所述有源层位于所述衬底基板的内部；所述封装层包括沿着远离所述衬底基板的方向叠设的第一梯度层和第二梯度层，沿着远离所述衬底基板的方向，所述第一梯度层中氧元素的含量逐渐减少，所述第二梯度层中碳元素的含量逐渐增加。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一梯度层中的元素包括硅、氧和氮，邻近所述发光元件的第一梯度层的材料包括氮氧化硅，远离所述发光元件的第一梯度层的材料包括氮化硅。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第二梯度层中的元素包括硅、碳和氮，邻近所述发光元件的第二梯度层的材料包括氮化硅，远离所述发光元件的第二梯度层的材料包括碳化硅和硅碳氮中的至少一项。

4.根据权利要求1到3任一项所述的显示基板，其中，所述封装层还包括均质层，所述均质层设置在所述第一梯度层与第二梯度层之间，所述均质层中每种元素的含量不变。

5.根据权利要求4所述的显示基板，其中，所述均质层的材料包括氮化硅。

6.根据权利要求4所述的显示基板，其中，所述第一梯度层的厚度小于第二梯度层的厚度，所述均质层的厚度小于第二梯度层的厚度。

7.根据权利要求1到3任一项所述的显示基板，其中，所述显示基板还包括彩膜层和保护层，所述彩膜层设置在所述第二梯度层上，所述保护层设置在所述彩膜层上，所述保护层的材料包括碳化硅和硅碳氮中的至少一项。

8.一种显示装置，包括权利要求1到7任一项所述的显示基板。

9.一种显示基板的制备方法，包括：

在衬底基板上形成驱动电路和发光元件；所述驱动电路与所述发光元件连接，被配置为驱动所述发光元件，所述驱动电路包括驱动晶体管，所述驱动晶体管包括有源层，所述有源层位于所述衬底基板的内部；

在同一个设备腔室内通过连续沉积形成封装层，所述封装层包括沿着远离所述衬底基板的方向依次形成的第一梯度层和第二梯度层，沿着远离所述衬底基板的方向，所述第一梯度层中氧元素的含量逐渐减少，所述第二梯度层中碳元素的含量逐渐增加。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其中，在同一个设备腔室内通过连续沉积形成封装层，包括：在同一个设备腔室内，

在所述发光元件上形成第一梯度层，沿着远离所述衬底基板的方向，所述第一梯度层中氧元素的含量逐渐减少；

在所述第一梯度层上形成均质层，所述均质层中每种元素的含量不变；

在所述均质层上形成第二梯度层，沿着远离所述衬底基板的方向，所述第二梯度层中碳元素的含量逐渐增加。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其中，在所述发光元件上形成第一梯度层，包括：

采用硅氢化合物气体、氧化合物气体、氮氢化合物气体和氮化合物气体进行膜层沉积，在沉积过程中，所述氧化合物气体占总气体的比例逐渐降低到0，使邻近所述发光元件的第一梯度层的材料包括氮氧化硅，远离所述发光元件的第一梯度层的材料包括氮化硅；在沉积开始时，所述硅氢化合物气体占总气体的比例为2％到6％，所述氧化合物气体占总气体的比例为14％到22％，所述氮氢化合物气体占总气体的比例为14％到22％，氮化合物气体占总气体的比例为50％到70％。

12.根据权利要求10所述的制备方法，其中，在所述第一梯度层上形成均质层，包括：

采用硅氢化合物气体和氮化合物气体进行膜层沉积，在所述第一梯度层上形成氮化硅层。