[实用新型]一种超导量子芯片结构

权利要求书

1.一种超导量子芯片结构，其特征在于，包括第一结构件、第二结构件和支撑连接件；其中，

所述第一结构件上设置有量子比特、读取腔、第一连接端子，其中，所述量子比特和所述读取腔耦合连接，所述量子比特和所述第一连接端子电连接；

所述第二结构件上设置有电连接的信号传输线和第二连接端子；

所述支撑连接件两端分别电连接所述第一连接端子和所述第二连接端子，用于将所述信号传输线上接收到的控制信号传输至所述量子比特。

2.根据权利要求1所述的超导量子芯片结构，其特征在于，所述量子比特和所述读取腔位于所述第一结构件的第一表面，所述第一连接端子位于所述第一结构件的第二表面，所述第一结构件还设置有贯穿所述第一结构件的第一表面和第二表面的通孔，所述通孔内填充有第一金属层，所述第一金属层用于电连接所述量子比特和所述第一连接端子。

3.根据权利要求2所述的超导量子芯片结构，其特征在于，所述第一连接端子在所述第一结构件的第二表面沿着所述通孔的周向分布且与所述通孔同轴。

4.根据权利要求1所述的超导量子芯片结构，其特征在于，所述量子比特、所述读取腔和所述第一连接端子均位于所述第一结构件的第二表面，所述信号传输线和所述第二连接端子位于所述第二结构件的第一表面，其中，所述第一结构件的第二表面与所述第二结构件的第一表面相对设置。

5.根据权利要求1所述的超导量子芯片结构，其特征在于，所述量子比特、所述读取腔和所述第一连接端子均位于所述第一结构件的第二表面，所述第二连接端子位于所述第二结构件的第一表面，所述信号传输线位于所述第二结构件的第二表面，且所述第二结构件设置有贯穿所述第二结构件的第一表面和第二表面的通孔，所述通孔内填充有第一金属层，所述第一金属层用于电连接所述第二连接端子和所述信号传输线。

6.根据权利要求2或5任一项所述的超导量子芯片结构，其特征在于，所述通孔形状为梯形。

7.根据权利要求2或5所述的超导量子芯片结构，其特征在于，所述第一金属层的材质为超导材料。

8.根据权利要求7所述的超导量子芯片结构，其特征在于，所述超导材料为氮化钛，所述支撑连接件的材质为铟。

9.根据权利要求2或5所述的超导量子芯片结构，其特征在于，所述第一金属层的表面填充第一保护膜。

10.根据权利要求1所述的超导量子芯片结构，其特征在于，所述支撑连接件形状为圆柱形。