[实用新型]镀膜载板

说明书

本申请实施例中提供了一种镀膜载板，属于太阳能电池加工夹具的技术领域，至少部分解决现有技术中存在的硅片在加工时与载板接触面积过大，致使太阳能电池量产效率较低的问题。包括载板本体，所述载板本体上设有用于放置硅片的凹槽，所述凹槽内安装有用于支撑所述硅片的支撑部，所述支撑部与硅片的接触面积小于所述硅片的面积。通过本申请的处理方案，提高了太阳能电池中硅片的加工率。

技术领域

本申请涉及太阳能电池硅片夹具的技术领域，尤其涉及一种镀膜载板。

背景技术

硅基太阳能电池经历了两个阶段：以晶体硅和多晶硅为代表的第一代太阳能电池和以非晶硅薄膜为代表的第二代太阳能电池。然而，传统的基于同质PN结(P是positive的缩写，N是negative的缩写，表明正荷子与负荷子起作用的特点)技术的硅基太阳能电池存在效率低、产品光衰严重等问题，异质结电池及其技术为解决上述问题应运而生。其特点是低温制造工艺：异质结电池所有制程的加工温度均低于250℃，避免了生产效率低而成本高的高温扩散制结的过程，而且低温工艺使得a-Si薄膜的光学带隙、沉积速率、吸收系数以及氢含量得到较精确的控制，也可避免因高温导致的热应力等不良影响。

相比传统太阳能电池，异质结电池工艺流程大大简化(见图1异质结电池工艺流程)，但对工艺的要求却更为严苛，如洁净度、真空度、温度控制、镀膜质量等，比现有的电池技术要求都要高一个量级。

现有技术的缺陷是：异质结电池结构的本质特征是钝化使电池获得一个良好的界面，从而避免载流子的复合，而钝化效果直接反映在少子寿命上，因此降低界面缺陷态密度，提高本征非晶硅薄层钝化后硅片少子寿命的工序是制备高效太阳能电池的前提和关键。由于非晶硅薄膜生长对表面质量要求很高，对清洗后的硅片而言，任何的物理接触均会对少子寿命产生不良影响，如何在镀膜前后保证硅片的表面洁净程度成为异质结电池制程的关键技术，硅片整面跟载板物理接触造成的不良影响无法消除，影响太阳能电池的使用效率，并且在载板上进行凹槽的设置成本较大。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供一种镀膜载板，至少部分解决现有技术中存在的硅片在加工时与载板接触面积过大，致使太阳能电池量产效率较低的问题。

本实用新型提供一种镀膜载板，包括载板本体和支撑件，所述载板本体中开设有用于放置硅片的凹槽，所述载板本体邻近所述凹槽的边缘为用于支撑所述硅片的支撑部，所述支撑件活动设置于所述凹槽内且至少部分位于所述支撑部上方，所述支撑部和所述支撑件与硅片的接触面积小于所述硅片的面积。

在一个优选或可选的实施方式中，所述支撑部与所述支撑件结合为台阶状。

在一个优选或可选的实施方式中，在所述载板本体邻近所述凹槽的区域沿所述凹槽的边缘开设有条状的容置槽，所述支撑件在与所述支撑部接触的端部为条状搭扣，所述搭扣能置入所述容置槽以使得所述支撑件与所述支撑部连接。

在一个优选或可选的实施方式中，所述容置槽在靠近所述凹槽的内槽壁下沿形成卡槽，所述搭扣的下部形成突部，所述卡槽与所述突部的形状相适配，以使得所述支撑件与所述支撑部卡合。

在一个优选或可选的实施方式中，所述支撑件采用高纯材料制成，所述高纯材料包括石墨、玻璃、石英、陶瓷中的至少一种。

在一个优选或可选的实施方式中，所述支撑部至少沿所述凹槽的两个边设置，和/或，每个所述支撑部的长度尺寸与其所在所述凹槽的边长相同。

在一个优选或可选的实施方式中，所述支撑件的高度与所述凹槽的深度相同。

在一个优选或可选的实施方式中，所述凹槽所在区域的底部设置有多个渗流孔，所述渗流孔以对称的方式设置。

在一个优选或可选的实施方式中，每一所述凹槽所在区域的所述渗流孔的数量为6个，所述渗流孔在所述凹槽内均匀分布。

在一个优选或可选的实施方式中，所述凹槽以四边形倒角的形状设置。