[实用新型]制绒设备

权利要求书

1.一种制绒设备，其特征在于，包括：

第一次酸洗槽，用于对碱制绒后的单晶硅片进行第一次酸洗；

金属离子辅助制绒槽，用于对第一次酸洗后的单晶硅片进行金属离子辅助制绒，以在金字塔绒面上形成纳米孔洞；

第一次脱金属槽，用于对金属离子辅助制绒后的单晶硅片进行第一次脱金属处理；

第二次酸洗槽，用于对第一次脱金属后的单晶硅片进行第二次酸洗；

修饰槽，用于对第二次酸洗后的单晶硅片进行修饰，以对所述纳米孔洞扩孔；

以及第二次脱金属槽，用于采用含有臭氧的水鼓泡的方式，对扩孔后的单晶硅片进行第二次脱金属。

2.根据权利要求1所述的制绒设备，其特征在于，所述第一次酸洗槽、所述金属离子辅助制绒槽、所述第一次脱金属槽、所述第二次酸洗槽、所述修饰槽、所述第二次脱金属槽依次设置。

3.根据权利要求1或2所述的制绒设备，其特征在于，所述金属离子辅助制绒槽的数量大于等于2，各个所述金属离子辅助制绒槽可同步工作；

各个所述金属离子辅助制绒槽并排设置。

4.根据权利要求1或2所述的制绒设备，其特征在于，所述第一次脱金属槽的数量大于等于2，各个所述第一次脱金属槽依次对金属离子辅助制绒后的同一单晶硅片进行第一次脱金属处理。

5.根据权利要求1或2所述的制绒设备，其特征在于，所述修饰槽的数量大于等于2，各个所述修饰槽可同步工作；

各个所述修饰槽并排设置。

6.根据权利要求1或2所述的制绒设备，其特征在于，所述制绒设备还包括碱制绒槽、第三次酸洗槽、烘干槽和漂洗槽，所述碱制绒槽用于在第一次酸洗前，对单晶硅片进行碱制绒，以形成金字塔绒面；所述第三次酸洗槽用于对第二次脱金属后的单晶硅片进行酸洗；所述烘干槽用于对第三次酸洗后的单晶硅片烘干处理；所述漂洗槽用于采用溢流或鼓泡的方式，用去离子水对各步处理之后的单晶硅片进行清洗；

在所述烘干槽的数量大于等于2的情况下，各个所述烘干槽可同步工作。

7.根据权利要求6所述的制绒设备，其特征在于，所述制绒设备还包括慢提拉槽，所述慢提拉槽用于在烘干处理之前，对第三次酸洗后的单晶硅片预脱水。

8.根据权利要求1或2所述的制绒设备，其特征在于，所述制绒设备还包括配液机构、排液机构、补液机构、移载机械臂；所述配液机构用于为各个槽配置对应的溶液；所述排液机构用于将各个槽中的废液排出；所述补液机构用于为各个槽补充溶液；所述移载机械臂用于将载有单晶硅片的花篮移动至对应的槽中。

9.根据权利要求1或2所述的制绒设备，其特征在于，所述金属离子辅助制绒槽、所述修饰槽内部均设置有热交换器；所述金属离子辅助制绒槽温度保持在30-35℃；所述修饰槽温度保持在8-40℃。

10.根据权利要求6所述的制绒设备，其特征在于，所述第一次酸洗槽、所述金属离子辅助制绒槽、所述第二次酸洗槽、所述修饰槽、所述第二次脱金属槽、所述第三次酸洗槽均为聚偏二氟乙烯槽或聚丙烯槽；所述烘干槽为不锈钢槽，所述烘干槽的内胆设置有含氟涂层。