[实用新型]光探测器芯片阵列

说明书

本实用新型涉及探测设备技术领域，公开了一种光探测器芯片阵列。光探测器芯片阵列包括：多个雪崩光探测器芯片单元，雪崩光探测器芯片单元包括光敏面和电极层；电极层包括电极环和电极焊盘，电极环围绕光敏面设置，电极焊盘与电极环电连接；多个光敏面呈直线线阵排布，相邻两个光敏面之间具有间隔间距。本实用新型实施例提供的光探测器芯片阵列通过将多个光敏面呈直线线阵排布，且相邻两个光敏面之间具有间隔间距，从而有效地提升了激光雷达的探测分辨率，并且由于直接采用雪崩光探测器芯片组成阵列，也大大缩小了采用器件组装空间，从而有效的解决了激光探测分辨率差、雪崩光探测器集成芯片体积大的问题。

技术领域

本实用新型涉及探测设备技术领域，尤其涉及一种光探测器芯片阵列。

背景技术

雪崩光电二极管(APD)是一种利用内光电效应和雪崩倍增效应实现光信号的探测和信号放大的器件，其核心结构是PN结。雪崩光探测器芯片由于其具有光探测倍增的作用，通常应用于对微弱光信号的探测，也是目前激光雷达、轨道交通等智能设备用于弱光信号检测的主要光探测接收芯片。

现有技术中的激光雷达探测技术，如图1所示，通常采用的是单颗雪崩光探测器芯片，或者是由单颗APD雪崩光探测器芯片封装的TO器件拼装组合成阵列芯片进行探测。

然而现有技术中的单颗芯片用于激光雷达很难实现多线探测，如果需要达到实用级的50线，或者更高分辨率的300线激光雷达探测，单颗雪崩光探测器芯片是无法达到的。而如果采用多只TO进行封装组合的方案，又存在体积大，费用高的问题，并且多只TO封装组合还存在芯片间距无法保证的问题。

实用新型内容

为了解决更高分辨率的激光雷达探测和减少光探测器芯片阵列体积的技术问题，本实用新型提供了一种光探测器芯片阵列。

第一方面，本实用新型提供了一种光探测器芯片阵列包括：多个雪崩光探测器芯片单元，所述雪崩光探测器芯片单元包括光敏面和电极层；所述电极层包括电极环和电极焊盘，所述电极环围绕所述光敏面设置，所述电极焊盘与所述电极环电连接；多个所述光敏面呈直线线阵排布，相邻两个所述光敏面之间具有间隔间距。

可选地，所述间隔间距为d，d的取值范围为5μmd50μm。

可选地，所述多个雪崩光探测器芯片单元的同一底面为负电极。

可选地，两个所述雪崩光探测器芯片单元之间的击穿电压的差值小于或等于1V。

本实用新型实施例提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点：

本实用新型实施例提供的光探测器芯片阵列包括：多个雪崩光探测器芯片单元，所述雪崩光探测器芯片单元包括光敏面和电极层；所述电极层包括电极环和电极焊盘，所述电极环围绕所述光敏面设置，所述电极焊盘与所述电极环电连接；多个所述光敏面呈直线线阵排布，相邻两个所述光敏面之间具有间隔间距。本实用新型实施例提供的光探测器芯片阵列通过将多个雪崩光探测器芯片单元线阵组合，从而有效地提升了激光雷达的探测分辨率，并且由于直接采用雪崩光探测器芯片单元组成阵列，也大大缩小了采用器件组装空间，从而有效的解决了激光探测分辨率差、光探测器芯片阵列体积大的问题。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本实用新型的实施例，并与说明书一起用于解释本实用新型的原理。

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

附图中：

图1是单颗雪崩光探测器芯片的结构示意图；

图2是本实用新型实施例提供的光探测器芯片阵列的结构示意图；