[实用新型]一种用于激光脱毛器的VCSEL激光阵列模组

说明书

本实用新型涉及一种用于激光脱毛器的VCSEL激光阵列模组，包括基板，所述基板的中部设有封装槽，所述封装槽内设有红外模组，所述红外模组由若干个VCSEL芯片集成VCSEL陈列，所述基板的两端分别设有连接端子，本实用新型采用VCSEL芯片阵列分布在基板上集成VCSEL陈列，利用VCSEL芯片垂直出光的特性，使得激光器能够正面发光，通过VCSEL芯片结构改进形成大面积，无间隔，光线集中的发光面，且散热结构的设计受到的制约小，可产生较好的散热效果。

技术领域

本实用新型涉及医疗美容设备技术领域，尤指一种用于激光脱毛器的VCSEL激光阵列模组。

背景技术

在医疗美容行业有一种叫激光脱毛器，其采用的是大功率边射型红外激光发生器，俗称激光BAR条(laser diode/LD),常用来作激光泵浦源或快速脱毛等作用，其是利用LD激光芯片从侧面出激光，形成边射形激光，形成有间隔的条形面光源，光源辐射范围小，光线不够集中，导致脱毛效率低。

实用新型内容

为解决上述问题，本实用新型提供一种大面积发光、无间隔、光线集中的用于激光脱毛器的VCSEL激光阵列模组。

为实现上述目的，本实用新型采用如下的技术方案是：一种用于激光脱毛器的VCSEL激光阵列模组，包括基板，所述基板的中部设有封装槽，该封装槽内设有红外模组，所述红外模组由若干个VCSEL芯片集成VCSEL陈列，所述基板的两端分别设有连接端子。

优选地，所述VCSEL芯片包括N面电极层，在所述N面电极层上依次堆叠的N型DBR层、第一氧化层、谐振腔、第二氧化层、P型DBR 层、P面电极；谐振腔用于延长腔面光源VCSEL，使得激光能够形成大面积，无间隔，光线集中，谐振腔降低光束发散角，减小带宽，所述N型DBR层和P型DBR层均包括重叠生长的若干个复合层，所述N 型DBR层的各复合层均包括沿所述第一方向依次堆叠的低折射率物质层和高折射率物质层；所述P型DBR层的各复合层均包括沿所述第一方向依次堆叠的高折射率物质层和低折射率物质层。

优选地，所述VCSEL芯片发出的波长为808nm,VCSEL芯片的功率为1-3W。

优选地，所述基板为铜板或陶瓷片。

优选地，所述封装槽的侧壁设有台阶面。

本实用新型的有益效果在于：本实用新型采用VCSEL芯片阵列分布在基板上，VCSEL陈列垂直出光，使得激光器能够正面发光，通过 VCSEL芯片结构改进形成大面积，无间隔，光线集中的发光面。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

图2是本实用新型的平面结构图。

图3是本实用新型VCSEL芯片的结构图。

图4是VCSEL激光脱毛器与现有激光脱毛器的发光的示意图。

图5是现有激光脱毛器的。

附图标记说明：1.基板；11.封装槽；2.VCSEL芯片；21.N面电极层；22.N型DBR层；23.第一氧化层；24.谐振腔；25.第二氧化层；26.P型DBR层；26.P面电极；3.连接端子；4.BAR条激光器； 41.LD芯片。

具体实施方式