[实用新型]一种节省能耗的一体化伺服电机驱动电路有效

专利信息
申请号: 202023306897.0 申请日: 2020-12-31
公开(公告)号: CN214227988U 公开(公告)日: 2021-09-17
发明(设计)人: 游雄峰;吴俊;黄玉明;吴建斌 申请(专利权)人: 福建宏宇电子科技有限公司
主分类号: H02K5/00 分类号: H02K5/00;H02K5/18;H02K11/21;H02K11/00;H02H7/085
代理公司: 泉州市创标专利代理事务所(特殊普通合伙) 35253 代理人: 潘文林
地址: 350301 福建省福州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 节省 能耗 一体化 伺服 电机 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种节省能耗的一体化伺服电机驱动电路,其特征在于,包括:直流电源V;接受U相控制信号高端信号UH和低端信号UL的第一隔离栅极驱动电路、第一自举升压电路、第一MOS管输出极;接受V相控制信号VH和VL的第二隔离栅极驱动电路、第二自举升压电路、第二MOS管输出极;以及接受W相控制信号WH和WL的第三隔离栅极驱动电路、第三自举升压电路、第三MOS管输出极;其中第一隔离栅极驱动电路包括驱动芯片U1、电阻R1和电阻R2,第一自举升级电路包括二极管D2和电容C6组成,第一MOS管输出极由N沟道MOS管Q1和N沟道MOS管Q3组成,U相控制信号高端信号UH和低端信号UL经过驱动芯片U1内部隔离后,高端信号UH由驱动芯片U1输出到N沟道MOS管Q1,低端信号UL由驱动芯片U1输出到N沟道MOS管Q3,并且通过驱动芯片U1内部产生的时序控制电路实现以上电路的通断状态,当N沟道MOS管Q1截止,N沟道MOS管Q3导通时,直流电源V通过二极管D2给电容C6充电,此时电容C6上的电压接近直流电源V的电压,当N沟道MOS管Q1导通,N沟道MOS管Q3截止时,电容C6上的电压在N沟道MOS管Q1的栅极和源极之间建立一个驱动电路,供驱动芯片U1驱动N沟道MOS管Q1使用,此时电容C6放电,当N沟道MOS管Q1/N沟道MOS管Q3工作时将不断重复上述过程,电容C6上将反复进行充/放电动作,由于C6充电快,放电慢,故在C6上将保持一个足够高的栅极驱动电压,驱动芯片U1和N沟道MOS管Q1能正常工作。

2.如权利要求1所述一种节省能耗的一体化伺服电机驱动电路,其特征在于:所述第二隔离栅极驱动电路包括驱动芯片U2、电阻R3和电阻R11,第二自举升级电路包括二极管D3和电容C7组成,第二MOS管输出极由N沟道MOS管Q2和N沟道MOS管Q4组成,V相控制信号高端信号VH和低端信号VL经过驱动芯片U2内部隔离后,高端信号VH由驱动芯片U2输出到N沟道MOS管Q2,低端信号VL由驱动芯片U2输出到N沟道MOS管Q4,并且通过驱动芯片U2内部产生的时序控制电路实现以上电路的通断状态,当N沟道MOS管Q2截止,N沟道MOS管Q4导通时,直流电源V通过二极管D3给电容C7充电,此时电容C7上的电压接近直流电源V的电压,当N沟道MOS管Q2导通,N沟道MOS管Q4截止时,电容C7上的电压在N沟道MOS管Q2的栅极和源极之间建立一个驱动电路,供驱动芯片U2驱动N沟道MOS管Q2使用,此时电容C7放电,当N沟道MOS管Q2/N沟道MOS管Q4工作时将不断重复上述过程,电容C7上将反复进行充/放电动作,由于C7充电快,放电慢,故在C7上将保持一个足够高的栅极驱动电压,驱动芯片U2和N沟道MOS管Q2能正常工作。

3.如权利要求2所述一种节省能耗的一体化伺服电机驱动电路,其特征在于:所述第三隔离栅极驱动电路包括驱动芯片U3、电阻R12和电阻R30,第三自举升级电路包括二极管D1和电容C10组成,第三MOS管输出极由N沟道MOS管Q5和N沟道MOS管Q6组成,W相控制信号高端信号WH和低端信号WL经过驱动芯片U3内部隔离后,高端信号WH由驱动芯片U3输出到N沟道MOS管Q5,低端信号WL由驱动芯片U3输出到N沟道MOS管Q6,并且通过驱动芯片U3内部产生的时序控制电路实现以上电路的通断状态,当N沟道MOS管Q5截止,N沟道MOS管Q6导通时,直流电源V通过二极管D1给电容C10充电,此时电容C10上的电压接近直流电源V的电压,当N沟道MOS管Q5导通,N沟道MOS管Q6截止时,电容C10上的电压在N沟道MOS管Q5的栅极和源极之间建立一个驱动电路,供驱动芯片U3驱动N沟道MOS管Q5使用,此时电容C10放电,当N沟道MOS管Q5/N沟道MOS管Q6工作时将不断重复上述过程,电容C10上将反复进行充/放电动作,由于C10充电快,放电慢,故在C10上将保持一个足够高的栅极驱动电压,驱动芯片U3和N沟道MOS管Q5能正常工作。

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