[实用新型]串级质谱仪及其碰撞池

权利要求书

1.一种串级质谱仪的碰撞池，其特征在于，所述串级质谱仪的碰撞池包括：

腔室，所述腔室的前端设有引入电极，所述引入电极设有引入中心孔，所述腔室的后端设有引出电极，所述引出电极设有引出中心孔；

前段高阶场N极杆与后段四极杆，所述前段高阶场N极杆与所述后段四极杆沿着所述腔室的中心轴线依次设置，其中N为大于4的偶数，所述腔室的侧壁对应于前段高阶场N极杆的部位设有用于通入碰撞气的通气口；

所述前段高阶场N极杆的极杆包括依次同轴间隔设置的两个以上第一节段，以及连接在相邻两个所述第一节段之间的第一绝缘件，相邻两个所述第一节段之间串入并联的第一电阻器与第一电容器，所述前段高阶场N极杆的相邻极杆间的极性相反；

所述后段四极杆的极杆包括依次同轴间隔设置的两个以上第二节段，以及连接在相邻两个所述第二节段之间的第二绝缘件，相邻两个所述第二节段之间串入并联的第二电阻器与第二电容器，所述后段四极杆的首段节段与所述前段高阶场N极杆的首段节段通过第三电阻器相连。

2.根据权利要求1所述的串级质谱仪的碰撞池，其特征在于，所述串级质谱仪的碰撞池还包括电源模块，所述电源模块用于提供DC1直流电压、DC2直流电压、DC3直流电压及DC4直流电压；所述DC1直流电压施加在所述引入电极，所述DC2直流电压施加在所述前段高阶场N极杆的首段节段，所述DC3直流电压施加在所述前段高阶场N极杆的尾段节段，所述DC4直流电压施加在所述后段四极杆的尾端节段。

3.根据权利要求2所述的串级质谱仪的碰撞池，其特征在于，所述电源模块还用于提供幅值相同相位相反的两路射频电压，分别为RF+射频电压与RF-射频电压，两路所述射频电压与地之间均接入有依次串联的第一分压电容C1、第二分压电容C2及第三分压电容C3，RF+射频电压所在支路的所述第一分压电容C1与所述第二分压电容C2之间的导线分别与所述前段高阶场N极杆带正极极性的首段节段电性连接，RF-射频电压所在支路的所述第一分压电容C1与所述第二分压电容C2之间的导线分别与所述前段高阶场N极杆带负极极性的首段节段电性连接，RF+射频电压所在支路的所述第一分压电容C1与所述第二分压电容C2之间的导线分别与所述后段四极杆带正极极性的首段节段电性连接，RF-射频电压所在支路的所述第一分压电容C1与所述第二分压电容C2之间的导线分别与所述后段四极杆带负极极性的首段节段电性连接。

4.根据权利要求3所述的串级质谱仪的碰撞池，其特征在于，所述第一分压电容C1、所述第二分压电容C2为大小可调的可调电容器。

5.根据权利要求3所述的串级质谱仪的碰撞池，其特征在于，所述射频电压的幅值大小可调，所述直流电压的幅值大小可调。

6.根据权利要求2所述的串级质谱仪的碰撞池，其特征在于，所述前段高阶场N极杆的首段节段相对于所述腔室的中心轴线倾斜设置，所述前段高阶场N极杆的首段节段靠近于所述引入电极的一端的场半径为R3，所述前段高阶场N极杆的尾段节段远离于所述引入电极的一端的场半径为R1，R3大于R1。

7.根据权利要求6所述的串级质谱仪的碰撞池，其特征在于，所述前段高阶场N极杆的第二段节段到尾段节段的各个节段均相对于所述腔室的中心轴线平行设置；所述前段高阶场N极杆的首段节段长度大于所述前段高阶场N极杆的其余节段长度。

8.根据权利要求6所述的串级质谱仪的碰撞池，其特征在于，所述前段高阶场N极杆的各个节段均相对于所述腔室的中心轴线倾斜设置，且所述前段高阶场N极杆的场半径沿着所述腔室的中心轴线逐渐减小。

9.根据权利要求1至8任意一项所述的串级质谱仪的碰撞池，其特征在于，所述前段高阶场N极杆的尾段节段远离于所述引入电极的一端的场半径为R1，所述后段四极杆的各个节段均相对于所述腔室的中心轴线平行设置，所述后段四极杆的场半径为R2，R1＝R2。

10.一种串级质谱仪，其特征在于，包括如权利要求1至9任意一项所述的串级质谱仪的碰撞池。