[实用新型]一种MEMS器件的晶圆级封装结构

说明书

本实用新型公开了一种MEMS器件的晶圆级封装结构，属于MEMS器件的封装技术领域。所述MEMS器件的晶圆级封装结构，包括MEMS晶圆、ASIC芯片和转接体，转接体包括硅本体、第一金属层、第一树脂层、氧化硅层和第二金属层，其中，第一金属层设置在硅本体上；氧化硅层设置在硅本体和第一金属层之间；第二金属层设置在硅本体和氧化硅层的表面，第一金属层与第二金属层接触连接，第二金属层上设置有焊接凸点；第二金属层与MEMS晶圆粘接，第一金属层与ASIC芯片粘接，第一金属层上还设置有焊锡。本实用新型的MEMS器件的晶圆级封装结构，结构体积小，生产成本低，生产效率高。

技术领域

本实用新型涉及MEMS器件的封装技术领域，尤其涉及一种MEMS器件的晶圆级封装结构。

背景技术

MEMS(Micro-Electro-Mechanical System，微机电系统)芯片最常用的是承担传感功能，如MEMS麦克风芯片及MEMS压力芯片等。MEMS器件就是把一颗MEMS芯片和一颗ASIC(Application Specific Integrated Circuit，专用集成电路)芯片封装在一块后形成的MEMS器件。现有技术中，MEMS芯片与ASIC芯片的封装结构主要存在以下问题，一是ASIC芯片与MEMS芯片并排放置于基板上，导致MEMS器件体积大；二是生产过程中，需将ASIC芯片与MEMS芯片一颗颗贴合于基板上，效率低下；三是外壳使用金属冲压方式，芯片之间采用金丝球焊接，导致制作成本高。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种MEMS器件的晶圆级封装结构，结构体积小，生产成本低，生产效率高。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种MEMS器件的晶圆级封装结构，包括MEMS晶圆、ASIC芯片和转接体，所述转接体包括：

硅本体；

第一金属层，设置在所述硅本体上；

氧化硅层，设置在所述硅本体和所述第一金属层之间；

第二金属层，设置在所述硅本体和所述氧化硅层的表面，所述第一金属层与所述第二金属层接触连接，所述第二金属层上设置有焊接凸点；

第一树脂层，设置在所述第一金属层上；

所述第二金属层与所述MEMS晶圆粘接，所述焊接凸点与所述MEMS晶圆上的第一导电柱一一对应设置，所述第一金属层与所述ASIC芯片粘接，所述ASIC芯片上的第二导电柱与所述第一金属层连接，所述第一金属层上还设置有焊锡，所述第一树脂层沿所述第二导电柱的外周和所述焊锡的外周设置。

可选地，所述第一金属层上的焊锡为锡球，外观性好，便于后续与外部结构焊接连接。

可选地，所述锡球设置在所述ASIC芯片的外周。

可选地，所述第二金属层上设置有第二树脂胶层，所述第二树脂胶层设置在所述焊接凸点的外周。

可选地，所述焊接凸点的外周设置有密封环，所述密封环与所述焊接凸点间隔设置，所述MEMS晶圆和所述转接体分别通过所述密封环粘接。

可选地，所述密封环的外圈、及各个所述焊接凸点之间均设置有干膜，所述干膜形成密封圈，所述MEMS晶圆和所述转接体分别通过所述密封圈粘接。

可选地，所述硅本体为普通硅片，所述硅本体的表面设置绝缘层；或所述硅本体为高阻硅片。

本实用新型的有益效果：