[实用新型]一种碳化硅单晶生长装置

说明书

本实用新型公开了一种碳化硅单晶生长装置，涉及碳化硅生长技术领域。该碳化硅单晶生长装置包括第一坩埚、第二坩埚、第一坩埚盖和第二坩埚盖。第二坩埚盖盖设于第二坩埚上，且与第二坩埚共同围成生长空腔，第二坩埚设置于第一坩埚内，第一坩埚盖盖设于第一坩埚上，以对生长空腔进行保温。与现有技术相比，本实用新型提供的碳化硅单晶生长装置由于采用了设置于第一坩埚内的第二坩埚以及盖设于第二坩埚上的第二坩埚盖，所以能够准确控制碳化硅单晶生长的温度分布，使碳化硅单晶的生长条件保持稳定，避免对碳化硅单晶的生长质量造成影响。

技术领域

本实用新型涉及碳化硅生长技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅单晶生长装置。

背景技术

碳化硅单晶是宽禁带半导体材料，也是第三代半导体材料，其具有宽能带隙、强击穿电场、高电子饱和速度、高热导率和抗辐射等特性，在半导体照明、电子器件、激光器和探测器以及其他等领域具有广阔的应用。

目前，生长碳化硅单晶的方法以物理气相传输法为主，碳化硅单晶在高纯的石墨坩埚中不仅存在轴向温度分布，同时在径向也存在温度分布，这两种温度分布都是影响晶体质量的重要因素。然而，现阶段控制这两种温度分布都是通过调整保温碳毡的结构以及坩埚在线圈的位置来实现的，而保温碳毡在碳化硅单晶生长中被刻蚀得比较严重，导致碳化硅单晶生长的温度分布无法得到准确的控制，碳化硅单晶生长的温度分布重复性较低，从而使得碳化硅单晶生长条件不稳定，进而影响碳化硅单晶的生长质量。

有鉴于此，设计制造出一种能够准确控制温度分布的碳化硅单晶生长装置特别是在碳化硅单晶生长中显得尤为重要。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种碳化硅单晶生长装置，能够准确控制碳化硅单晶生长的温度分布，使碳化硅单晶的生长条件保持稳定，避免对碳化硅单晶的生长质量造成影响。

本实用新型是采用以下的技术方案来实现的。

一种碳化硅单晶生长装置，包括第一坩埚、第二坩埚、第一坩埚盖和第二坩埚盖，第二坩埚盖盖设于第二坩埚上，且与第二坩埚共同围成生长空腔，第二坩埚设置于第一坩埚内，第一坩埚盖盖设于第一坩埚上，以对生长空腔进行保温。

可选地，第一坩埚的侧壁与第二坩埚的侧壁之间的间距范围为0 至5毫米。

可选地，第一坩埚盖与第二坩埚盖之间的间距范围为0至5毫米。

可选地，第一坩埚盖的横截面积在沿第一坩埚盖远离第二坩埚盖的方向上逐渐减小。

可选地，第一坩埚盖呈锥台状，第一坩埚盖的中部的厚度大于第一坩埚盖的边缘的厚度。

可选地，第一坩埚盖呈平板状，第一坩埚盖远离第二坩埚盖的一侧开设有凹槽。

可选地，凹槽设置于第一坩埚盖的中部。

可选地，碳化硅单晶生长装置还包括碳化硅籽晶，碳化硅籽晶粘接于第二坩埚盖靠近生长空腔的一侧。

可选地，第二坩埚盖的中部设置有凸台，凸台朝生长空腔内延伸设置，碳化硅籽晶粘接于凸台上。

可选地，碳化硅单晶生长装置还包括加热线圈和保温碳毡，加热线圈围设于保温碳毡外，保温碳毡包裹于第一坩埚和第一坩埚盖外。

本实用新型提供的碳化硅单晶生长装置具有以下有益效果：

本实用新型提供的碳化硅单晶生长装置，第二坩埚盖盖设于第二坩埚上，且与第二坩埚共同围成生长空腔，第二坩埚设置于第一坩埚内，第一坩埚盖盖设于第一坩埚上，以对生长空腔进行保温。与现有技术相比，本实用新型提供的碳化硅单晶生长装置由于采用了设置于第一坩埚内的第二坩埚以及盖设于第二坩埚上的第二坩埚盖，所以能够准确控制碳化硅单晶生长的温度分布，使碳化硅单晶的生长条件保持稳定，避免对碳化硅单晶的生长质量造成影响。

附图说明