[实用新型]发光二极管芯片、发光二极管背板和发光二极管显示面板有效
| 申请号: | 202023278022.4 | 申请日: | 2020-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN214956920U | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
| 发明(设计)人: | 李小丁 | 申请(专利权)人: | 深圳市辰中科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/10 | 分类号: | H01L33/10;H01L33/38;H01L33/06;H01L25/075 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 林凡燕 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市福田区香蜜湖街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光二极管 芯片 背板 显示 面板 | ||
本实用新型提出一种发光二极管芯片、发光二极管背板和发光二极管显示面板,包括:衬底;反射层,位于所述衬底上;外延层,位于所述反射层上,所述外延层包括第一半导体层,发光层和第二半导体层;电流扩展层,位于所述第二半导体层上;凹槽,位于所述衬底上,暴露出所述第一半导体层;第一电极,位于所述凹槽内,所述第一电极与所述第一半导体层接触;第二电极,位于所述电流扩展层上,所述第二电极与所述电流扩展层接触;其中,所述反射层包括第一材料层和第二材料层,所述第一材料层位于所述第二材料层上,所述第二材料层的折射率大于所述第一材料层的折射率。本实用新型提出的发光二极管芯片具有更高的亮度。
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,特别涉及一种发光二极管芯片及其应用的背板、显示面板。
背景技术
LED(Light Emitting Diode)芯片,也称为LED发光芯片,是LED灯的核心组件,是一种固态的半导体器件,它可以直接把电能转化为光能。LED芯片中位于衬底之上的发光结构主要由两部分组成,一部分是P型半导体,空穴为多数载流子,另一部分是N型半导体,电子为多数载流子,两种半导体连接起来时,形成P-N结。当电流通过导线作用于这个芯片的时候,电子就会被推向P区,在P-N结合区(如量子阱区)电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量,这就是LED芯片发光的原理,其中,发出光的颜色依赖于光波长,且由形成P-N结的材料决定的。LED在生产过程中不要添加“汞”,也不需要充气,不需要玻璃外壳,抗冲击性好,抗震性好,不易破碎,便于运输,非常环保,被称为“绿色能源”。
最初LED用作仪器仪表的指示光源,后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用,产生了很好的经济效益和社会效益。汽车信号灯也是LED光源应用的重要领域。随着半导体科技的进步,现今的LED芯片已具备了高亮度的输出,加上LED 芯片具有省电、体积小、低电压驱动、寿命非常长(普遍在5万至10万小时之间)等优点,因此,LED芯片已广泛地应用在显示器与照明等领域。不过,提高LED芯片的亮度,仍是改进LED芯片质量的主导方向。
实用新型内容
鉴于上述现有技术的缺陷,本实用新型提出发光二极管芯片、发光二极管背板和发光二极管显示面板,该发光二极管芯片可以具有更高的亮度,并且可以提高背板和显示面板的亮度。
为实现上述目的及其他目的,本实用新型提出一种发光二极管芯片,包括:
衬底;
反射层,位于所述衬底上;
外延层,位于所述反射层上,所述外延层包括第一半导体层,发光层和第二半导体层;
电流扩展层,位于所述第二半导体层上;
凹槽,位于所述衬底上,暴露出所述第一半导体层;
第一电极,位于所述凹槽内,所述第一电极与所述第一半导体层接触;
第二电极,位于所述电流扩展层上,所述第二电极与所述电流扩展层接触;
其中,所述反射层包括第一材料层和第二材料层,所述第一材料层位于所述第二材料层上,所述第二材料层的折射率大于所述第一材料层的折射率;
其中,所述第一电极和所述第二电极位于所述衬底的同侧。
进一步地,所述第一半导体层位于所述衬底上,所述发光层位于所述第一半导体层上,所述第二半导体层位于所述发光层上。
进一步地,所述第一半导体层包括N型半导体层,所述第二半导体层包括P型半导体层。
进一步地,所述第一材料层的厚度等于所述第二材料层的厚度。
进一步地,还包括绝缘层,所述绝缘层位于所述凹槽,所述第二半导体层上。
进一步地,所述发光层包括周期交替生长的阱层和垒层。
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