[实用新型]基于结构超滑的肖特基微发电机有效
| 申请号: | 202023274342.2 | 申请日: | 2020-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN215072193U | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
| 发明(设计)人: | 郑泉水;黄轩宇;向小健 | 申请(专利权)人: | 深圳清华大学研究院;清华大学 |
| 主分类号: | H02N1/04 | 分类号: | H02N1/04 |
| 代理公司: | 深圳市惠邦知识产权代理事务所 44271 | 代理人: | 满群 |
| 地址: | 518057 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 结构 肖特基微 发电机 | ||
1.基于结构超滑的肖特基微发电机,包括导电层和半导体层,其特征在于:还包括设于所述半导体层一侧的第一金属电极层,所述导电层和所述半导体层之间形成超滑接触和肖特基接触,所述第一金属电极层与所述半导体层形成欧姆接触,所述导电层与所述半导体层相对运动并输出电信号。
2.如权利要求1所述的基于结构超滑的肖特基微发电机,其特征在于:所述导电层或所述半导体层的任一个包括一个单晶的二维界面,另一所述导电层或所述半导体层包括一个单晶的二维界面,或者为具有原子级平整表面的导电层或半导体层。
3.如权利要求2所述的基于结构超滑的肖特基微发电机,其特征在于:所述单晶的二维界面是原子级平整表面。
4.如权利要求2所述的基于结构超滑的肖特基微发电机,其特征在于:所述导电层包括一个单晶的二维界面,所述半导体层为具有原子级平整表面半导体层。
5.如权利要求2所述的基于结构超滑的肖特基微发电机,其特征在于:所述导电层包括石墨或石墨烯;或者,所述导电层为具有原子级平整表面的金属材料。
6.如权利要求2所述的基于结构超滑的肖特基微发电机,其特征在于:所述半导体层为具有单晶二维界面的半导体材料,采用二硫化钼、二硒化钨、二硫化钨或者黑磷;或者,所述半导体层为具有原子级平整表面的半导体材料,采用硅、砷化镓、铟镓砷、氧化锌、锗、氮化镓或者磷化铟中的任一种。
7.如权利要求1所述的基于结构超滑的肖特基微发电机,其特征在于:在所述导电层上还设有第二金属电极层,所述第二金属电极层与所述导电层电连接。
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