[实用新型]一种结构稳定的肖特基二极管有效

专利信息
申请号: 202023259202.8 申请日: 2020-12-30
公开(公告)号: CN213716890U 公开(公告)日: 2021-07-16
发明(设计)人: 张攀 申请(专利权)人: 东莞市佳骏电子科技有限公司
主分类号: H01L23/49 分类号: H01L23/49;H01L23/31;H01L29/872
代理公司: 东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙) 44400 代理人: 姜华
地址: 523808 广东省东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 结构 稳定 肖特基 二极管
【权利要求书】:

1.一种结构稳定的肖特基二极管,其特征在于,包括肖特基芯片(1)、阴极引脚(2)、阳极引脚(3)、绝缘封装壳(4),所述阴极引脚(2)包括与所述肖特基芯片(1)下端连接的第一接触部(21)、连接在所述第一接触部(21)一端的第一弯折部(22)、连接在所述第一弯折部(22)下端的第一焊接部(23),所述第一弯折部(22)与所述第一焊接部(23)形成的夹角为45°,所述阳极引脚(3)包括第二接触部(31)、连接在所述第二接触部(31)一端的第二弯折部(32)、连接在所述第二弯折部(32)下端的第二焊接部(33),所述第二弯折部(32)与所述第二焊接部(33)形成的夹角为45°,所述肖特基芯片(1)上端与所述第二接触部(31)之间连接有金线(5),所述绝缘封装壳(4)内还设有绝缘安装板(6),所述第一接触部(21)、第二接触部(31)均与所述绝缘安装板(6)固定连接。

2.根据权利要求1所述的一种结构稳定的肖特基二极管,其特征在于,所述第一接触部(21)与所述第一弯折部(22)的交接处上端还设有第一填充胶(41),所述第一填充胶(41)上端面为弧面。

3.根据权利要求1所述的一种结构稳定的肖特基二极管,其特征在于,所述第二接触部(31)与所述第二弯折部(32)的交接处上端还设有第二填充胶(42),所述第二填充胶(42)上端面为弧面。

4.根据权利要求1所述的一种结构稳定的肖特基二极管,其特征在于,所述绝缘安装板(6)上端连接有上定位柱(61),所述上定位柱(61)顶端设有供所述金线(5)容置的避让槽。

5.根据权利要求1所述的一种结构稳定的肖特基二极管,其特征在于,所述绝缘安装板(6)下端连接有下定位柱(62),所述下定位柱(62)下端延伸至所述绝缘封装壳(4)外侧。

6.根据权利要求1所述的一种结构稳定的肖特基二极管,其特征在于,所述具有封装壳上还设有图案标识层(43),所述图案标识层(43)靠向所述阴极引脚(2)一侧设置。

7.根据权利要求1所述的一种结构稳定的肖特基二极管,其特征在于,所述肖特基芯片(1)包括硅衬底(11)、覆盖在所述硅衬底(11)上端的硅外延层(12)、覆盖在所述硅衬底(11)下端的阴极金属层(13)、覆盖在所述硅外延层(12)上端的阳极金属层(14)、二氧化硅防护层(15),所述阴极金属层(13)下端与所述第一接触部(21)连接,所述阳极金属层(14)上端与所述金线(5)连接。

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