[实用新型]一种氮化镓材料的外延结构

说明书

本实用新型公开了一种氮化镓材料的外延结构，包括外延底座，外延底座包括衬底板，衬底板的上表面均匀光刻有图形结构，图形结构呈正六边形，每个图形结构外围处成型有隔离槽，隔离槽的横向间距等于图形结构的边缘垂直壁厚，衬底板的上表面纵向贴合有电极隔离条，衬底板的上表面横向贴合有分割隔离条，在生产氮化镓元件时，氮化镓在图形结构的上表面以及衬底板的上表面生长，并且在电极隔离条和分割隔离条的内壁之间生长，在隔离为器件大小的同时，还能够预留隔离出电极槽，有效的解决了现有的氮化镓材料在外延生长生产时为一体结构，因此后期切割、蚀刻槽位时比较麻烦的问题。

技术领域

本实用新型涉及氮化镓技术领域，具体为一种氮化镓材料的外延结构。

背景技术

氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，常用在发光二极管中，此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高，氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，在灯具中使用该材料时，由于灯具的灯点结构大小平整类似，因此在氮化镓成型后，需要安装一定形状分割，分割过程和电极植入比较麻烦，鉴于以上问题，特提出一种氮化镓材料的外延结构。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种氮化镓材料的外延结构，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种氮化镓材料的外延结构，包括外延底座，所述外延底座包括衬底板，的上表面均匀光刻有图形结构，所述图形结构呈正六边形，每个所述图形结构外围处成型有隔离槽，所述隔离槽的横向间距等于图形结构的边缘垂直壁厚，所述衬底板的上表面纵向贴合有电极隔离条，所述衬底板的上表面横向贴合有分割隔离条。

优选的，所述图形结构的上表面开设有成型槽。

优选的，所述成型槽的垂直厚度等于图形结构的边缘垂直壁厚的二分之一。

优选的，所述电极隔离条的侧表面与分割隔离条的侧表面相啮合。

优选的，所述电极隔离条由下至上分别一体成型有第一遮挡条、第二遮挡条和第三遮挡条，所述第一遮挡条的侧边与下表面夹角为110°-125°之间，所述第二遮挡条的侧边延长线与下表面之间的夹角为100°-115°之间，所述第三遮挡条的侧边为竖直状态。

优选的，所述分割隔离条由下至上分别一体成型有第一隔离条、第二隔离条和第三隔离条，所述第一隔离条、第二隔离条和第三隔离条的侧面边缘角度与第一遮挡条、第二遮挡条和第三遮挡条为180°互补关系。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型设置了一种带有电极隔离条和分割隔离条的氮化镓材料外延底座，在生产氮化镓元件时，氮化镓在图形结构的上表面以及衬底板的上表面生长外延，并且在电极隔离条和分割隔离条的内壁之间生长，在隔离为器件大小的同时，还能够预留隔离出电极槽，有效的解决了现有的氮化镓材料在外延生长生产时为一体结构，因此后期切割、蚀刻槽位时比较麻烦的问题。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图。

图2为本实用新型俯视图。

图3为本实用新型图形结构立体示意图。

图4为本实用新型图形结构俯视图。

图5为本实用新型电极隔离条剖面示意图。

图6为本实用新型分割隔离条主视图。

图中：1、外延底座，11、衬底板，12、图形结构，13、成型槽，14、电极隔离条，15、分割隔离条，16、第一遮挡条，17、第二遮挡条，18、第三遮挡条，19、第一隔离条，110、第二隔离条，111、第三隔离条，112、隔离槽。

具体实施方式