[实用新型]一种氮化镓半导体生产用的单晶炉

说明书

本实用新型公开了一种氮化镓半导体生产用的单晶炉，包括固定框、单晶炉本体、抽气口、搅拌轴和伺服电机，所述固定框的内部通过轴承安装有单晶炉本体，且单晶炉本体的内部设置有加热管，所述单晶炉本体的底端开设有下料槽，所述固定框顶端通过轴承安装有贯穿单晶炉本体的第一转轴，且第一转轴的外壁皆设置有搅拌轴，所述第一转轴的外壁设置有第一锥形齿轮，所述单晶炉本体的外壁设置有第二锥形齿轮，所述固定框的内侧通过轴承安装有第二转轴。该氮化镓半导体生产用的单晶炉，通过第三锥形齿轮带动第二锥形齿轮相啮合，进而第二锥形齿轮带动单晶炉本体与第一转轴异向转动，便于对单晶炉本体内材料充分搅拌，调高了搅拌效率。

技术领域

本实用新型涉及单晶炉技术领域，具体为一种氮化镓半导体生产用的单晶炉。

背景技术

单晶炉是一种在惰性气体环境中，一般是氮气、氦气为主，用石墨石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，而氮化镓是一种具有较大禁带宽度的半导体，属于所谓宽禁带半导体之列。

授权公告号CN211814712U的专利公开了一种半导体生产单晶炉，该半导体生产单晶炉采用石墨加热器可以对石墨坩埚进行加热，导热板具有一个导热的作用，加热板进一步进行加热，让半导体加速生产，解决了现有的单晶炉保温性能不够完善的问题，传统的氮化镓半导体生产用的单晶炉基本可以满足人们的使用需求，但是依旧存在一定的问题，具体问题如下所述：

1、目前市场上大多数的氮化镓半导体生产用的单晶炉在使用时，搅拌速度慢，从而搅拌效率不高，进而生产效率低，实用性不高等；

2、目前市场上大多数的氮化镓半导体生产用的单晶炉在使用时，不便于进行下料，使得操作人员需要大量时间和精力进行下料，使得下料十分不便。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种氮化镓半导体生产用的单晶炉，以解决上述背景技术中提出的搅拌速度慢，从而搅拌效率不高与不便于进行下料的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种氮化镓半导体生产用的单晶炉，包括固定框、单晶炉本体、抽气口、搅拌轴和伺服电机，所述固定框的内部通过轴承安装有单晶炉本体，且单晶炉本体的内部设置有加热管，所述单晶炉本体的底端开设有下料槽，所述固定框顶端通过轴承安装有贯穿单晶炉本体的第一转轴，且第一转轴的外壁皆设置有搅拌轴，所述第一转轴的外壁设置有第一锥形齿轮，所述单晶炉本体的外壁设置有第二锥形齿轮，所述固定框的内侧通过轴承安装有第二转轴，所述下料槽的内侧通过轴承安装有第三转轴，且第三转轴的外壁设置有密封扇形板，所述密封扇形板的外壁与下料槽相匹配，所述第三转轴一侧安装有贯穿单晶炉本体的转扭，且转扭的外壁设置有限位槽，所述单晶炉本体的一侧安装有滑轨，所述单晶炉本体底端的侧壁开设有滑槽，且滑槽的内部设置有弹簧，所述固定框底端的两侧皆安装有万向轮，所述单晶炉本体的一侧安装有观察窗。

优选的，所述固定框的顶端设置有伺服电机，且伺服电机输出端通过联轴器与第一转轴的顶端相连接。

优选的，所述单晶炉本体的顶端安装有加料口，所述单晶炉本体远离加料口的一侧安装有抽气口。

优选的，所述单晶炉本体的外壁设置有保温层，且保温层的内部填充有陶瓷板。

优选的，所述第二转轴的外壁设置有第三锥形齿轮，且第三锥形齿轮外壁分别与第一锥形齿轮和第二锥形齿轮的外壁相啮合。

优选的，所述弹簧底端安装有贯穿滑槽的固定块，所述固定块外壁与滑轨的内部相匹配。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1、通过安装有单晶炉本体、第一转轴和第一锥形齿轮，通过第一锥形齿轮与第三锥形齿轮相啮合，从而第三锥形齿轮带动第二锥形齿轮相啮合，进而第二锥形齿轮带动单晶炉本体与第一转轴异向转动，该结构便于对单晶炉本体内材料进行充分搅拌，调高了搅拌效率；