[实用新型]一种隧道磁电阻及隧道磁器件有效
| 申请号： | 202023230036.9 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN213816191U | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 韩荷福;何路光;王连伟;涂恩平 | 申请（专利权）人： | 蚌埠希磁科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 233000 安徽省蚌埠市经开区财院路10号，财院*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 隧道 磁电 器件 | ||
1.一种隧道磁电阻，其特征在于，包括：
钉扎层；
与所述钉扎层相对设置的自由层，所述自由层为超顺磁层，所述自由层的厚度小于或等于临界厚度；
位于所述钉扎层和所述自由层之间的隧穿势垒层；
位于所述自由层背向所述隧穿势垒层一侧的底层导电结构。
2.根据权利要求1所述的隧道磁电阻，其特征在于，所述自由层包括CoFe40B20自由层或CoFe60B20自由层。
3.根据权利要求1或2所述的隧道磁电阻，其特征在于，所述自由层的厚度为1.0nm～1.4nm。
4.根据权利要求1所述的隧道磁电阻，其特征在于，还包括：顶层导电结构，所述钉扎层、自由层和隧穿势垒层均位于所述顶层导电结构和底层导电结构之间，所述钉扎层位于所述顶层导电结构和所述隧穿势垒层之间。
5.根据权利要求1所述的隧道磁电阻，其特征在于，所述底层导电结构包括底层导电本体和界面层，所述界面层位于所述底层导电本体和所述自由层之间。
6.根据权利要求5所述的隧道磁电阻，其特征在于，所述界面层包括Ta界面层或Ru界面层。
7.根据权利要求1所述的隧道磁电阻，其特征在于，所述钉扎层包括：第一子钉扎膜、第二子钉扎膜、第三子钉扎膜和第四子钉扎膜，第一子钉扎膜、第二子钉扎膜、第三子钉扎膜和第四子钉扎膜在自所述自由层至所述隧穿势垒层的方向上依次层叠；
所述第一子钉扎膜包括CoFe40B20子钉扎膜；
所述第二子钉扎膜包括Ru子钉扎膜；
所述第三子钉扎膜包括CoFe30子钉扎膜；
所述第四子钉扎膜包括PtMn62子钉扎膜。
8.根据权利要求7所述的隧道磁电阻，其特征在于，所述第一子钉扎膜的厚度为1.4nm～3nm；所述第二子钉扎膜的厚度为0.7nm～1.0nm；所述第三子钉扎膜的厚度为1.5nm～2nm；所述第四子钉扎膜的厚度为15nm～20nm。
9.一种隧道磁器件，其特征在于，包括：如权要1至8中任意一项所述的隧道磁电阻。
10.根据权利要求9所述的隧道磁器件，其特征在于，所述隧道磁电阻的数量为若干个，且各隧道磁电阻之间串联连接。
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