[实用新型]一种高比容腐蚀环境下的石墨电极

说明书

本实用新型提供一种高比容腐蚀环境下的石墨电极，涉及石墨电极技术领域，以解决在原有的石墨电极中没有安装可灵活调节并进行搭配安装的结构装置，导致石墨电极的连接机构不能进行左右安装和上下拼接加长的安装方法，不能使石墨电极在实际的使用中根据具体的使用需求进行自由调节，降低了石墨电极的灵活安装的功能，石墨电极达不到使用高效的作用，进一步的降低石墨电极的实用性的问题，包括主体；所述主体居中内侧上下两端分别固定安装圆柱体状的衔接块。本实用新型中由于卡槽的后端面上分别固定安装不规则长方体状的凸槽，且卡槽的前侧端面上分别开设不规则长方体状的镂空凹扣。

技术领域

本实用新型涉及石墨电极结构技术领域，更具体地说，特别涉及一种高比容腐蚀环境下的石墨电极。

背景技术

石墨电极是指以石油焦、沥青焦为骨料，煤沥青为黏结剂，经过原料煅烧、破碎磨粉、配料、混捏、成型、焙烧、浸渍、石墨化和机械加工而制成的一种耐高温石墨质导电材料，称为人造石墨电极(简称石墨电极)，以区别于采用天然石墨为原料制备的天然石墨电极。其中一种高比容腐蚀环境下的石墨电极被人们广泛应用。

例如专利号为CN207091543U的专利，本实用新型公开了一种高比容腐蚀环境下的石墨电极，高比容腐蚀由于两个加电的石墨电极之间的间距较小，且石墨电极的尺寸较大，导致严重影响侵蚀铝箔地比电容及其均匀性。本实用新型包括中心石墨电极本体和对称置于其两侧的石墨电极本体，所述的石墨电极本体的左右侧面和底面套有第一PVC密封套，所述的中心石墨电极本体的左右侧面和底面套有第二PVC密封套，所述的第一上部电极本体、所述的第一下部电极本体上分别具有横向第一通孔，所述的第一中部电极本体具有横向第二通孔，所述的第二上部电极本体具有横向第三通孔，所述的第二中部电极本体具有横向第四通孔。本实用新型降低石墨电极的边缘效应，增强石墨电极和铝箔电极间电解液循环传质能力。

在石墨电极日常使用时，由于原有的石墨电极没有安装可灵活调节并进行搭配安装的结构装置，导致石墨电极的连接机构不能进行左右安装和上下拼接加长的安装方法，这样两种结构相互搭配，不能使石墨电极在实际的使用中根据具体的使用需求进行自由调节，降低了石墨电极的灵活安装的功能，石墨电极达不到使用高效的作用，进一步的降低石墨电极的实用性。

于是，有鉴于此，针对现有的结构及缺失予以研究改良，提供一种高比容腐蚀环境下的石墨电极，以期达到更具有更加实用价值性的目的。

发明内容

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种高比容腐蚀环境下的石墨电极，以解决在原有的石墨电极中没有安装可灵活调节并进行搭配安装的结构装置，导致石墨电极的连接机构不能进行左右安装和上下拼接加长的安装方法，不能使石墨电极在实际的使用中根据具体的使用需求进行自由调节，降低了石墨电极的灵活安装的功能，石墨电极达不到使用高效的作用，进一步的降低石墨电极的实用性的问题。

本实用高比容腐蚀环境下的石墨电极的目的与功效，由以下具体技术手段所达成：一种高比容腐蚀环境下的石墨电极，包括主体；所述主体居中内侧上下两端分别固定安装圆柱体状的衔接块；所述主体相互对应的居中内侧分别连接安装一组卡槽；所述卡槽分别垂直安装在衔接块的左右内侧；所述主体包括凹倒槽、凸倒槽、衔接槽、双抽孔和四抽孔，所述主体居中前端外侧面上分别开设一处空心的凹倒槽，凹倒槽后端对向垂直安装凸出状的凸倒槽，凸倒槽的上下两端顶部分别开设一两圆形的镂空衔接槽，衔接槽的上端前后两侧分别开设向两个方向开设的一组镂空圆形的双抽孔，且衔接槽的下端前后端面上分别开设向四个方向开设的一组圆形镂空四抽孔。

进一步的，所述衔接块包括上插孔、下插孔和插杆，所述衔接块的居中上端的外侧端面上分别开设向四个方向开设的一组镂空圆形的上插孔，上插孔对应下端外侧面上顶部分别开设向两个方向开设的一组镂空圆形的下插孔，且上插孔和下插孔的内侧镂空处分别横向安插一组圆柱体状的插杆。

进一步的，所述卡槽包括凸槽和凹扣，所述卡槽的后端面上分别固定安装不规则长方体状的凸槽，且卡槽的前侧端面上分别开设不规则长方体状的镂空凹扣。