[实用新型]气相沉积晶圆气动控制结构

说明书

本实用新型提供一种气相沉积晶圆气动控制结构，包含：碟盘、大盘模块以及第一供气管；碟盘供一晶圆放置，并于边缘设有一呈环状的衔接部，大盘模块具有至少一个碟盘槽以供至少一碟盘定位，且至少一碟盘槽设有一环槽沟以供衔接部置入，环槽沟衔接一入气引道，以引入气浮气体于环槽沟中施力于衔接部使至少一碟盘悬浮，环槽沟衔接于一导出口，第一供气管衔接设置在入气引道的上游第一供气管具有一第一流量控制阀，以引入气浮气体于环槽沟中施力于衔接部使碟盘悬浮甚至进一步旋转，环槽沟衔接于一导出口，如此使得晶圆的反应过程能通过气动方式进行悬浮或旋转控制，本实用新型可使晶圆的受热效果及成膜效果更为均匀。

技术领域

本实用新型涉及半导体化学气相沉积作业的设备，尤指一种应用于高温低压状态的气相沉积晶圆气动控制结构。

背景技术

化学气相沉积是一种在晶圆的反应面，形成薄膜的重要手段，其系将晶圆置入一反应腔中，对晶圆加热并使晶圆的反应面与反应气体接触而形成薄膜。在高温低压的气相沉积制程中，晶圆的反应面与反应气体的接触是否均匀、晶圆的加热温度是否精准与均匀，都会直接影响薄膜形成的品质。其中，晶圆置入反应腔后的定位及承载方式也影响薄膜的形成品质，承载晶圆的机构有时还涉及许多传动机构以及驱动旋转的机构，这些传动以及驱动旋转的机构会直接影响反应气体对晶圆的反应面的接触效果、对晶圆非反应面的加热方式以及晶圆是否便于通过自动化设备执行而影响晶圆产能的问题。

现有用于承载晶圆的相关装置，往往会在晶圆反应面的背面设至晶圆托盘，晶圆托盘又可能会与相关的升降机构或旋转机构连接，导致相对于晶圆背面区域存在着复杂的机构，又温度的控制、晶圆受热的均匀度直接影响化学气相沉积的品质，当晶圆背面区域存在着复杂的机构，就会产生不良的温度控制效果。

实用新型内容

本实用新型的主要目的，系在提供一种气相沉积晶圆气动控制结构，以通过气动的方式改善于在晶圆背面区域设置复杂机构的缺点，气相沉积晶圆气动控制结构包含：一种气相沉积晶圆气动控制结构，包含：至少一碟盘，供一晶圆放置，并于边缘设有一呈环状的衔接部；一大盘模块，其具有至少一个碟盘槽以供至少一碟盘定位，且至少一碟盘槽设有一环槽沟以供衔接部置入，环槽沟衔接一入气引道，以引入气浮气体于环槽沟中施力于衔接部使至少一碟盘悬浮，环槽沟衔接于一导出口，以供气浮气体排出；以及一第一供气管，衔接设置在入气引道的上游第一供气管具有一第一流量控制阀。

实施时，第一供气管容置至少一种气体。

实施时，气相沉积晶圆气动控制结构，其进一步包含一第二供气管，衔接设置在入气引道的上游，第二供气管具有一第二流量控制阀，第一供气管与第二供气管汇流于入气引道。

实施时，第一供气管与第二供气管分别容置不同带热效果的气体。

实施时，至少一碟盘供晶圆以反应面朝下的形式放置。

实施时，至少一碟盘供晶圆以反应面朝上的形式放置。

实施时，碟盘设有复数承载指供晶圆放置，复数承载指中的每一承载指具有一倾斜承载面。

相较于现有技术，本实用新型在结构设计上相当单纯，使得用于承载晶圆的相关结构中免除过多或复杂的传动机构，非常有利于维护与保养；其次，本实用新型独特的设计可广泛的运用于面上型、面下型气相沉积作业，能提供晶圆较佳的产品合格率。

附图说明

图1为本实用新型第一实施例的俯视分解图；

图2为本实用新型第一实施例的剖视图示意图；

图3为本实用新型第一实施例的气浮气体控制示意图(一)；

图4为本实用新型第一实施例的气浮气体控制示意图(二)；

图5为本实用新型第二实施例的俯视分解图示意图；

图6为本实用新型第二实施例的剖视图示意图。