[实用新型]一种吸盘有效
| 申请号: | 202023202985.6 | 申请日: | 2020-12-25 |
| 公开(公告)号: | CN214099614U | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
| 发明(设计)人: | 杨博光;张记晨;姚殿奎;蔡晨;冒鹏飞 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 王宏婧 |
| 地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 吸盘 | ||
本实用新型提供一种吸盘,包括:吸盘本体,所述吸盘本体包括吸附区域和围绕所述吸附区域的环形沉槽,所述吸附区域的直径小于待吸附基底的直径,所述环形沉槽的外径大于待吸附基底的直径,所述消光层至少覆盖所述环形沉槽的底部,且所述消光层的厚度小于所述环形沉槽的深度。本实用新型提供的所述吸盘通过环形沉槽的布置,有效地解决了因基底边缘与吸盘本体凸环重叠,光学缺陷检测分系统无法对基底边缘有效识别从而导致基底边缘不能有效对准的问题。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种吸盘。
背景技术
基底的吸附主要包括静电吸附和真空吸附,静电吸附流程复杂,成本高,而真空吸附利用真空进行接触式吸附,实现容易,成本低,是目前半导体光刻设备中常用的基底吸附方式。
目前投入市场使用的铝制真空吸盘,为了提高吸盘内表面耐磨性,内表面采用了硬质氧化处理工艺,硬质氧化后的吸盘颜色一般分为两种,一种是银灰色,另一种是深褐色。另外,为了吸附基底,吸盘的内表面通常布满间隔分布的多个凸环,各凸环沿吸盘的周向布置,相邻两个凸环之间的区域构成一真空吸附区。
当基底在微观台进行边缘对准时,基底边缘可能会与吸盘内表面的凸环发生重叠,影响光学缺陷检测分系统对基底边缘有效识别,所以,当系统执行基底边缘对准动作时,极易出现基底边缘不能有效对准等问题,另外,当基底在微观台进行边缘对准时,光学缺陷检测分系统会提高微观光源亮度(过曝光),由于吸盘内表面和基底内表面均为金属亮色且反射率高,使基底和吸盘在强光照射下灰度值相近,导致两者对比度低,也会影响基底边缘不能有效对准。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种吸盘,以解决在进行基底在真空吸盘上的对准时,极易出现基底边缘不能有效对准的问题。
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种吸盘,用于吸附基底,包括:
吸盘本体,所述吸盘本体包括吸附区域和围绕所述吸附区域的环形沉槽,所述吸附区域的直径小于待吸附基底的直径,所述环形沉槽的外径大于待吸附基底的直径。
可选的,在所述的吸盘中,所述待吸附基底的直径A,所述环形沉槽的外径B,所述吸附区域的直径C满足:5mm≤(B-A)/2≤10mm,5mm≤(A-C)/2≤ 10mm。
可选的,在所述的吸盘中,所述吸盘本体包括多个间隔分布的所述环形沉槽,各所述环形沉槽沿所述吸盘本体的周向布置,且多个所述环形沉槽围绕的区域分别为不同尺寸的待吸附基底的吸附区域。
可选的,在所述的吸盘中,所述吸盘还包括消光层,所述消光层至少覆盖所述环形沉槽的底部,且所述消光层的厚度小于所述环形沉槽的深度。
可选的,在所述的吸盘中,所述消光层为消光涂层。
可选的,在所述的吸盘中,所述环形沉槽的内表面为氧化面或粗糙面。
可选的,在所述的吸盘中,所述粗糙面的粗糙度大于Ra12.5。
可选的,在所述的吸盘中,所述消光涂层的厚度的范围为50μm~60μm。
可选的,在所述的吸盘中,所述消光层和所述吸盘本体可拆卸连接。
可选的,在所述的吸盘中,所述消光层通过紧固螺钉固定在所述环形沉槽内或粘接在所述环形沉槽内。
综上所述,本实用新型提供的所述吸盘,包括:吸盘本体,所述吸盘本体包括吸附区域和围绕所述吸附区域的环形沉槽,所述吸附区域的直径小于待吸附基底的直径,所述环形沉槽的外径大于待吸附基底的直径。与现有技术相比,通过环形沉槽的布置,有效地解决了因基底边缘与吸盘本体凸环重叠,光学缺陷检测分系统无法对基底边缘有效识别从而导致基底边缘不能有效对准的问题。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





