[实用新型]一种空间合成功率放大器及装置有效
申请号: | 202023200871.8 | 申请日: | 2020-12-25 |
公开(公告)号: | CN213936486U | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 宋小伟;胡业先 | 申请(专利权)人: | 广州程星通信科技有限公司 |
主分类号: | H01P5/12 | 分类号: | H01P5/12;H03F3/20 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 常柯阳 |
地址: | 510730 广东省广州市开发区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 空间 合成 功率放大器 装置 | ||
本实用新型公开了一种空间合成功率放大器及装置,空间合成功率放大器包括功分器合路模块和第一功放基板,第一功放基板设在功分器合路模块的一侧,功分器合路模块包括功分部分以及合路部分;第一功放基板包括第一芯片腔,第一芯片腔的第一端连接至功分部分,芯片腔的第二端连接至合路部分,本实用新型通过功分器合路器模块中的每个功分输出波导与传统3D微波空间合成技术中的基板结合,再通过功分器合路器模块中的每个合路输入波导合路成最终一个输出,从而达到的功率合成,让芯片在布局上自由度较高,从而使热量比较分散,不集中,这样更有利于模块的散热,可广泛应用于微波毫米波通讯技术领域。
技术领域
本实用新型涉及微波毫米波通讯技术领域,尤其是一种空间合成功率放大器及装置。
背景技术
3D微波空间合成技术与传统的平面合成技术相比,其具有损耗低、体积小、效率高的优点,已得到越来越广的应用,在X波段、C波段、KU波段及KA波段都得到了很好的应用。现有技术的空间合成功率放大器如图1和图2所示,其主要由基板和隔板组成。但随着频段越来越高,对应的波导尺寸越来越小,导致隔板厚度尺寸也很小,使得按现有的结构方式无法使用空间合成技术。此外,现有的功率合成放大技术还存在着散热过于集中、芯片布局自由度较低等缺陷。
实用新型内容
为解决上述技术问题之一,本实用新型的目的在于:提供一种能够解决空间功率合成难题、同时散热良好、布局自由度高的空间合成功率放大器及其装置。
本实用新型所采取的技术方案是:
第一方面,本实施新型提供了一种空间合成功率放大器,包括功分器合路模块和第一功放基板,所述第一功放基板设在所述功分器合路模块的一侧,所述功分器合路模块包括功分部分以及合路部分;所述第一功放基板包括第一芯片腔,所述第一芯片腔的第一端连接至所述功分部分,所述芯片腔的第二端连接至所述合路部分。
在本实用新型的一些可行的实施例中,包括功分器合路模块和第一功放基板,所述第一功放基板设在所述功分器合路模块的一侧,所述功分器合路模块包括功分部分以及合路部分;所述第一功放基板包括第一芯片腔,所述第一芯片腔的第一端连接至所述功分部分,所述芯片腔的第二端连接至所述合路部分。
在本实用新型的一些可行的实施例中,所述合路部分为第二Y型凹槽,所述第二Y型凹槽包括第三支路和第四支路,所述第三支路的一端以及所述第四支路的一端均设有波导输出口,所述波导输出口连接至所述第一芯片腔的第二端。
在本实用新型的一些可行的实施例中,所述功分部分包括三条支路,所述支路的一端均设有波导输入口,所述波导输入口连接至所述第一芯片腔的第一端。
在本实用新型的一些可行的实施例中,所述功分部分包括四条支路,所述支路的一端均设有波导输入口,所述波导输入口连接至所述第一芯片腔的第一端。
在本实用新型的一些可行的实施例中,所述空间合成功率放大器还包括第二功放基板和第三功放基板,所述第二功放基板设在所述功分器合路模块远离所述第一功放基板的一侧,所述第三功放基板设在所述第一功放基板远离所述功分器合路模块的一侧。
在本实用新型的一些可行的实施例中,所述第二功放基板包括第二芯片腔,所述第二芯片腔的第一端连接至所述功分部分,所述第二芯片腔的第二端连接合路部分;所述第三功放基板包括第三芯片腔,所述第三芯片腔的第一端连接至所述第一芯片腔的第一端,所述第三芯片腔的第二端连接至所述第一芯片腔的第二端。
第二方面,本实用新型提供一种空间合成功率放大器装置,该装置包括第一方面中的空间合成功率放大器。
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