[实用新型]存储单元和存储器有效
| 申请号： | 202023187287.3 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN213877587U | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 杨晓蕾;韩谷昌;哀立波;张恺烨;刘波 | 申请（专利权）人： | 浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 霍文娟 |
| 地址： | 311300 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 单元 存储器 | ||
1.一种存储单元，其特征在于，包括：
第一存储区域，包括至少一个第一存储子单元；
第二存储区域，包括至少一个第二存储子单元，所述第二存储子单元的特征尺寸大于所述第一存储子单元的特征尺寸。
2.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述第一存储子单元和所述第二存储子单元的结构相同。
3.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，多个所述第一存储子单元的特征尺寸相同，多个所述第二存储子单元的特征尺寸相同。
4.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述第一存储子单元的特征尺寸为40nm至70nm。
5.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述第一存储区域还包括多个第一开关，所述第一开关与所述第一存储子单元一一对应连接，所述第二存储区域还包括多个第二开关，所述第二开关与所述第二存储子单元一一对应连接，所述第一开关在饱和区的电流比所述第二开关在饱和区的电流小。
6.根据权利要求5所述的存储单元，其特征在于，所述第一开关为第一MOS管，所述第二开关为第二MOS管。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的存储单元，其特征在于，所述第一存储子单元为第一MTJ，所述第二存储子单元为第二MTJ。
8.根据权利要求7所述的存储单元，其特征在于，所述第一MTJ和所述第二MTJ的薄膜结构相同。
9.根据权利要求7所述的存储单元，其特征在于，所述第一MTJ包括依次层叠的第一固定层、第一隧道层和第一自由层，所述第二MTJ包括依次层叠的第二固定层、第二隧道层和第二自由层，所述第一固定层的磁化方向和所述第一自由层的磁化方向垂直，所述第二固定层的磁化方向和所述第二自由层的磁化方向垂直。
10.一种存储器，其特征在于，包括权利要求1至9中任意一项所述的存储单元。
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