[实用新型]一种放电保护电路有效
| 申请号: | 202023175014.7 | 申请日: | 2020-12-25 |
| 公开(公告)号: | CN214707196U | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
| 发明(设计)人: | 吴沛;吴朝勇;袁小峰;符恩亮 | 申请(专利权)人: | 广州金升阳科技有限公司 |
| 主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00;H02H7/18 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 510670 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 放电 保护 电路 | ||
1.一种放电保护电路,其特征在于:包括稳压源U1、MOS管Q1、三极管Q2、二极管D1、电容C1、电容C2、电容C3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和电阻R8;
超级电容或电池的正端作为放电保护电路的输入端HV,连接二极管D1的阳极,二极管D1的阴极连接电阻R1的一端、电阻R4的一端、电阻R5的一端和电容C1的一端,稳压源U1的输出端连接电容C2的一端和电阻R4的另一端,稳压源U1的采样端连接电阻R1的另一端、电阻R2的一端、电阻R3的一端、电容C2的另一端和电容C3的一端,稳压源U1的输入端和电容C3的另一端接地,电阻R5的另一端连接MOS管Q1的栅极、电阻R6的一端和电阻R8的一端,MOS管Q1的漏极连接超级电容或电池充放电电路主控芯片的使能脚EN,电阻R8的另一端和MOS管Q1的源极接地,电阻R6的另一端连接三极管Q2的基极和电阻R7的一端,三极管Q2的发射极和电阻R7的另一端接地,三极管Q2的集电极连接电阻R3的另一端,电容C1的另一端和电阻R2的另一端接地。
2.一种放电保护电路,其特征在于:包括稳压源U1、MOS管Q1、三极管Q2、二极管D1、电容C1、电容C2、电容C3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和电阻R8;
超级电容或电池的正端作为放电保护电路的输入端HV,连接二极管D1的阳极、电阻R4的一端和电阻R5的一端,二极管D1的阴极连接电阻R1的一端和电容C1的一端,稳压源U1的输出端连接电容C2的一端和电阻R4的另一端,稳压源U1的采样端连接电阻R1的另一端、电阻R2的一端、电阻R3的一端、电容C2的另一端和电容C3的一端,稳压源U1的输入端和电容C3的另一端接地,电阻R5的另一端连接MOS管Q1的栅极、电阻R6的一端和电阻R8的一端,MOS管Q1的漏极连接超级电容或电池充放电电路主控芯片的使能脚EN,电阻R8的另一端和MOS管Q1的源极接地,电阻R6的另一端连接三极管Q2的基极和电阻R7的一端,三极管Q2的发射极和电阻R7的另一端接地,三极管Q2的集电极连接电阻R3的另一端,电容C1的另一端和电阻R2的另一端接地。
3.一种放电保护电路,其特征在于:包括稳压源U1、稳压源U2、MOS管Q1、三极管Q2、二极管D1、电容C1、电容C2、电容C3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R6、电阻R7和电阻R8;
超级电容或电池的正端作为放电保护电路的输入端HV,连接二极管D1的阳极,二极管D1的阴极连接电阻R1的一端、电阻R4的一端、电容C1的一端、稳压源U2的采样端和输出端,稳压源U1的输出端连接电容C2的一端和电阻R4的另一端,稳压源U1的采样端连接电阻R1的另一端、电阻R2的一端、电阻R3的一端、电容C2的另一端和电容C3的一端,稳压源U1的输入端和电容C3的另一端接地,稳压源U2的输入端连接MOS管Q1的栅极、电阻R6的一端和电阻R8的一端,MOS管Q1的漏极连接超级电容或电池充放电电路主控芯片的使能脚EN,电阻R8的另一端和MOS管Q1的源极接地,电阻R6的另一端连接三极管Q2的基极和电阻R7的一端,三极管Q2的发射极和电阻R7的另一端接地,三极管Q2的集电极连接电阻R3的另一端,电容C1的另一端和电阻R2的另一端接地。
4.一种放电保护电路,其特征在于:包括稳压源U1、MOS管Q1、三极管Q2、二极管D1、二极管D2、电容C1、电容C2、电容C3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R6、电阻R7和电阻R8;
超级电容或电池的正端作为放电保护电路的输入端HV,连接二极管D1的阳极,二极管D1的阴极连接电阻R1的一端、电阻R4的一端、二极管D2的阴极和电容C1的一端,稳压源U1的输出端连接电容C2的一端和电阻R4的另一端,稳压源U1的采样端连接电阻R1的另一端、电阻R2的一端、电阻R3的一端、电容C2的另一端和电容C3的一端,稳压源U1的输入端和电容C3的另一端接地,二极管D2的阳极连接MOS管Q1的栅极、电阻R6的一端和电阻R8的一端,MOS管Q1的漏极连接超级电容或电池充放电电路主控芯片的使能脚EN,电阻R8的另一端和MOS管Q1的源极接地,电阻R6的另一端连接三极管Q2的基极和电阻R7的一端,三极管Q2的发射极和电阻R7的另一端接地,三极管Q2的集电极连接电阻R3的另一端,电容C1的另一端和电阻R2的另一端接地。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州金升阳科技有限公司,未经广州金升阳科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202023175014.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





