[实用新型]一种Si衬底的GaN薄膜有效

申请号：	202023154101.4	申请日：	2020-12-24
公开（公告）号：	CN213816181U	公开（公告）日：	2021-07-27
发明（设计）人：	高芳亮;杨金铭	申请（专利权）人：	深圳市昂德环球科技有限公司;惠州市三航无人机技术研究院
主分类号：	H01L33/32	分类号：	H01L33/32;H01L33/12;H01L33/00
代理公司：	深圳市精英专利事务所 44242	代理人：	武志峰
地址：	518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	一种 si 衬底 gan 薄膜
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【权利要求书】：

1.一种Si衬底的GaN薄膜，其特征在于，包括：生长在Si衬底上的基础AlN层、生长在所述基础AlN层上的第一AlGaN层、生长在所述第一AlGaN层上的Si_xN_y层、生长在所述Si_xN_y层上的第二AlGaN层、生长在所述第二AlGaN层上的低温GaN层、生长在所述低温GaN层上的高温GaN层。

2.根据权利要求1所述的Si衬底的GaN薄膜，其特征在于，所述基础AlN层的厚度为100～500nm。

3.根据权利要求2所述的Si衬底的GaN薄膜，其特征在于，所述基础AlN层的厚度为200～400nm。

4.根据权利要求1所述的Si衬底的GaN薄膜，其特征在于，所述第一AlGaN层的厚度为100～500nm。

5.根据权利要求4所述的Si衬底的GaN薄膜，其特征在于，所述第一AlGaN层的厚度为200～300nm。

6.根据权利要求1所述的Si衬底的GaN薄膜，其特征在于，所述Si_xN_y层的厚度为2～10nm。

7.根据权利要求1所述的Si衬底的GaN薄膜，其特征在于，所述第二AlGaN层的厚度为100～500nm。

8.根据权利要求1所述的Si衬底的GaN薄膜，其特征在于，所述低温GaN层的厚度为100～500nm。

9.根据权利要求1所述的Si衬底的GaN薄膜，其特征在于，所述高温GaN层的厚度为1～3μm。

10.根据权利要求6所述的Si衬底的GaN薄膜，其特征在于，所述Si_xN_y层的厚度为4～6nm。

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