[实用新型]适用于半导体器件动态测试系统电流精准控制电路

权利要求书

1.适用于半导体器件动态测试系统电流精准控制电路，其特征在于，包括主电路和闭环控制回路，主电路包括高压电源P1、电流互感器CT1和待测件DUT，所述闭环控制回路包括数模转换电路IC1、比较电路IC2、处理器IC3、逻辑与门电路IC4以及驱动电路DRV，所述高压电源P1为待测件DUT供电，电流互感器CT1位于主电路上，数模转换电路IC1的输出端与比较电路IC2的同相端连接，比较电路IC2的反相端与电流互感器CT1连接，比较电路IC2的输出端以及处理器IC3均与逻辑与门电路IC4的输入端连接，逻辑与门电路IC4的输出端与驱动电路DRV连接，驱动电路DRV与待测件DUT的受控端连接。

2.根据权利要求1所述的适用于半导体器件动态测试系统电流精准控制电路，其特征在于，所述主电路还包括电容组C1以及电感L1，所述电容组C1并联在高压电源P1的两端，电感L1连接到待测件DUT上。

3.根据权利要求2所述的适用于半导体器件动态测试系统电流精准控制电路，其特征在于，所述待测件DUT包括顺序编号的半导体器件Q1至半导体器件Q4、二极管D1以及二极管D2，所述半导体器件Q1的集电极、半导体器件Q2的集电极以及二极管D1的阴极均与电感L1的一端连接并接高压电源P1的一端，半导体器件Q1的发射极与半导体器件Q2的基极连接，半导体器件Q1的基极、半导体器件Q2的发射极、二极管D1的阳极、半导体器件Q3的集电极、半导体器件Q4的集电极以及二极管D2的阴极均连接，半导体器件Q3的发射极与半导体器件Q4的基极连接，半导体器件Q4的发射极与二极管D2的阳极连接并接高压电源P1的另一端，驱动电路DRV与半导体器件Q3的基极连接。

4.根据权利要求3所述的适用于半导体器件动态测试系统电流精准控制电路，其特征在于，所述半导体器件Q1至半导体器件Q4均为PNP型三极管。

5.根据权利要求3所述的适用于半导体器件动态测试系统电流精准控制电路，其特征在于，所述数模转换电路IC1的型号为AD5790。

6.根据权利要求3所述的适用于半导体器件动态测试系统电流精准控制电路，其特征在于，所述比较电路IC2的型号为LM293。

7.根据权利要求3所述的适用于半导体器件动态测试系统电流精准控制电路，其特征在于，所述处理器IC3的型号为TMS320F28377D。