[实用新型]一种抗干扰直流电源有效

专利信息
申请号: 202023072504.4 申请日: 2020-12-18
公开(公告)号: CN214069801U 公开(公告)日: 2021-08-27
发明(设计)人: 王玉平 申请(专利权)人: 上海晶仁电子科技有限公司
主分类号: H02M1/12 分类号: H02M1/12;H02M1/15;H02M7/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201800 上海市嘉*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 抗干扰 直流电源
【权利要求书】:

1.一种抗干扰直流电源,包括交流滤波电路,隔离变压电路,整流滤波电路,独立功能模块,其特征在于,所述交流滤波电路处理220V交流电,220V交流电的一端连接电容C1和电感L2,220V交流电的另一端连接电容C1的另一端和电感L1,电感L1的另一端连接电容C2和电感L4,电感L2的另一端连接电容C2的另一端和电感L3,电感L3的另一端连接电容C3和变压器W的初级绕组,电感L4的另一端连接电容C4和变压器W初级绕组的另一端,电容C3的另一端连接地端和电容C4的另一端,变压器W的次级绕组连接双向二极管VD1的阳极和整流器T的端口1,变压器W的次级绕组另一端连接二极管VD1的另一端阳极和整流器T的端口3,整流器T的输出端口2连接电容C5的正极和熔断器FU,整流器T的端口4连接电容C5的负极、电容C6、二极管D2的阳极、电容C7、电阻R5和电容C8的负极,熔断器FU的另一端连接三极管N1的集电极、三极管N2的集电极和场效应管FET的漏极,场效应管FET的栅极连接场效应管FET的源极、电容C6的另一端和电阻R1,三极管N2的基极连接电阻R1的另一端、三极管N3的集电极和二极管D1的阳极,三极管N2的发射极连接三极管N1的基极,三极管N1的发射极通过电阻R2连接二极管D1的阴极、电阻R3、电阻R4和电容C8的正极,三极管N3的基极连接电容C7的另一端和电位器RP1的滑片端,三极管N3的发射极连接二极管D2的阴极和电阻R3的另一端,电阻R4的另一端通过电位器RP1连接电阻R5的另一端。

2.根据权利要求1所述的一种抗干扰直流电源,其特征在于,所述交流滤波电路由电容C1-C4和电感L1-L4组成,隔离变压电路由变压器W组成,整流滤波电路由整流器T和滤波电容C5组成,独立功能模块由调整管、稳压管和场效应管组成。

3.根据权利要求2所述的一种抗干扰直流电源,其特征在于,所述电容C1-C2和电感L1-L2组成了一个低通滤波器,电感L3-L4组成共模轭流圈。

4.根据权利要求3所述的一种抗干扰直流电源,其特征在于,所述电容C5和C8为有极性电容。

5.根据权利要求4所述的一种抗干扰直流电源,其特征在于,所述场效应管FET选用N通道型。

6.根据权利要求5所述的一种抗干扰直流电源,其特征在于,所述三极管N1-N3选用NPN型三极管。

7.根据权利要求2所述的一种抗干扰直流电源,其特征在于,所述二极管D2为稳压二极管。

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