[实用新型]一种电压源串联遗忘忆阻突触结构及图片存储器

权利要求书

1.一种电压源串联遗忘忆阻突触结构，其特征是，包括电压源、第一忆阻器、第二忆阻器，电压源的正极与第一忆阻器、第二忆阻器依次串联后连接电流输出端，电压源的负极接地。

2.根据权利要求1所述的一种电压源串联遗忘忆阻突触结构，其特征是，所述第一忆阻器为具有阈值特性的非易失性忆阻器，第二忆阻器为易失性忆阻器。

3.根据权利要求2所述的一种电压源串联遗忘忆阻突触结构，其特征是，所述第二忆阻器的电导为短时记忆与第一忆阻器电导对应长时记忆的差值。

4.根据权利要求2所述的一种电压源串联遗忘忆阻突触结构，其特征是，所述电流输出端的输出电流值等于电压源的电压值与第一忆阻器、第二忆阻器电导值之和的乘积。

5.根据权利要求1所述的一种电压源串联遗忘忆阻突触结构，其特征是，所述第一忆阻器的电导具体为：

dG_L＝k_Lsign(v₁)v₁^2,if v₁＞v_th

其中，G_L表示非易失性忆阻器对应的长时记忆电导，v₁为写电压，k_L为变化常数，sign(v₁)为电压信号v₁的符号，v_th为电压阈值，低于阈值以下的电压对第一忆阻器长时记忆无影响。

6.根据权利要求1所述的一种电压源串联遗忘忆阻突触结构，其特征是，所述第二忆阻器的电导具体为：

其中，G_S表示易失性忆阻器对应的电导，v₂为短时记忆写电压，k_S为短时记忆变化常数，sign(v₂)为电压信号v₂的符号，f为衰减速度，G_S最后会衰减至0。

7.一种图片存储器，其特征是，包括如权利要求1-6任意一项所述的一种电压源串联遗忘忆阻突触结构。