[实用新型]一种减小光学串扰的新型Micro-LED显示阵列

权利要求书

1.一种减小光学串扰的新型Micro-LED显示阵列，其特征在于：包括蓝宝石衬底(1)，本征GaN缓冲层(2)，n-GaN层(3)，InGaN/GaN多量子阱层(4)，p型电子阻挡层(5)，p-GaN层(6)，电流扩展层(7)，Micro-LED p型欧姆电极(8)，Micro-LED n型欧姆电极(9)，其中最底层为蓝宝石衬底(1)，接着是本征GaN缓冲层(2)，本征GaN缓冲层(2)上依次覆盖有n-GaN层(3)、InGaN/GaN多量子阱层(4)、p型电子阻挡层(5)、p-GaN层(6)、电流扩展层(7)及Micro-LED p型欧姆电极(8)，Micro-LED n型欧姆电极(9)位于n-GaN层(3)一角；Micro-LED p型欧姆电极(8)一侧的器件侧壁为倾斜侧壁结构；各Micro-LED器件之间的间隔为20～100μm，其间隔曝露的n-GaN层(3)表面是图形化表面结构。

2.根据权利要求1所述的一种减小光学串扰的新型Micro-LED显示阵列，其特征在于：蓝宝石衬底(1)是蓝宝石、SiC、Si、AlN、GaN或石英玻璃的其中一种，衬底(1)沿着外延生长方向的不同分成极性面[0001]衬底、半极性面[11-22]衬底或非极性面[1-100]衬底。

3.根据权利要求1所述的一种减小光学串扰的新型Micro-LED显示阵列，其特征在于：Micro-LED器件的倾斜侧壁的倾斜角度为10°～85°。

4.根据权利要求1所述的一种减小光学串扰的新型Micro-LED显示阵列，其特征在于：粗图形化表面的高度为20nm-2000nm。

5.根据权利要求1所述的一种减小光学串扰的新型Micro-LED显示阵列，其特征在于：电流扩展层(7)的材料是ITO、Ni/Au、氧化锌、石墨烯、铝或金属纳米线的其中一种。

6.根据权利要求1所述的一种减小光学串扰的新型Micro-LED显示阵列，其特征在于：Micro-LED p型欧姆电极(8)的材质是Ni/Au、Cr/Au、Pt/Au或Ni/Al的其中一种。

7.根据权利要求1-6任一项权利要求所述的一种减小光学串扰的新型Micro-LED显示阵列，其特征在于：Micro-LED n型欧姆电极(9)材质是Al/Au、Cr/Au或Ti/Al/Ti/Au的其中一种。