[实用新型]一种功放保护电路有效

专利信息
申请号: 202022975737.9 申请日: 2020-12-08
公开(公告)号: CN213879762U 公开(公告)日: 2021-08-03
发明(设计)人: 刘明阳;黄俭 申请(专利权)人: 深圳市锐驰曼科技发展有限公司
主分类号: H03F1/52 分类号: H03F1/52
代理公司: 北京维正专利代理有限公司 11508 代理人: 任志龙
地址: 518000 广东省深圳市龙岗*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 功放 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种功放保护电路,其特征在于:包括功率放大电路(100),所述功率放大电路(100)包括功率放大模块、第一极性电容器CE1以及第二极性电容器CE2;

所述功率放大模块的正相信号输出端连接于第一极性电容器CE1的正极,所述第一极性电容器CE1的负极用于与扬声器模块的第一信号输入端PA_OUT+连接,所述功率放大模块的反向信号输出端连接于第二极性电容器CE2的正极,所述第二极性电容器CE2的负极用于与扬声器模块的第二信号输入端PA_OUT-连接;

还包括第一保护电路(101)和第二保护电路(102),所述第一保护电路(101)用于保护第一极性电容器CE1不被反向击穿,所述第二保护电路(102)用于保护第二极性电容器CE2不被反向击穿;

所述第一保护电路(101),电压输入端连接于第一极性电容器CE1的负极,电压输出端连接于第一极性电容器CE1的正极;

所述第二保护电路(102),电压输入端连接于第二极性电容器CE2的负极,电压输出端连接于第二极性电容器CE2的正极。

2.根据权利要求1所述的一种功放保护电路,其特征在于:所述第一保护电路(101)包括第一二极管保护电路和第一电阻器R1,所述第一二极管保护电路包括第一二极管D1;

所述第一二极管D1,阳极连接于第一电阻器R1的一端,阴极连接于第一保护电路(101)的电压输出端,所述第一电阻器R1的另一端连接于第一保护电路(101)的电压输入端。

3.根据权利要求1所述的一种功放保护电路,其特征在于:所述第二保护电路(102)包括第二二极管保护电路和第二电阻器R2,所述第二二极管保护电路包括第二二极管D2;

所述第二二极管D2,阳极连接于第二电阻器R2的一端,阴极连接于第二保护电路(102)的电压输出端;所述第二电阻器R2的另一端连接于第二保护电路(102)的电压输入端。

4.根据权利要求1所述的一种功放保护电路,其特征在于:所述第一保护电路(101)包括第一三极管保护电路和第一电阻器R1,所述第一三极管保护电路包括第一PNP三极管Q1;

所述第一PNP三极管Q1,发射极连接于第一电阻器R1的一端,集电极连接于第一保护电路(101)的电压输出端,基极连接于控制信号输出端;所述第一电阻器R1的另一端连接于第一保护电路(101)的电压输入端。

5.根据权利要求1所述的一种功放保护电路,其特征在于:所述第二保护电路(102)包括第二三极管保护电路和第二电阻器R2,所述第二三极管保护电路包括第二PNP三极管Q2;

所述第二PNP三极管Q2,发射极连接于第二电阻器R2的一端,集电极连接于第二保护电路(102)的电压输出端,基极连接于控制信号输出端;所述第二电阻器R2的另一端连接于第二保护电路(102)的电压输入端。

6.根据权利要求1所述的一种功放保护电路,其特征在于:所述第一保护电路(101)包括第一MOS管保护电路和第一电阻器R1,所述第一MOS管保护电路包括第一PMOS管Q3;

所述第一PMOS管Q3,栅极G连接于控制信号输出端,源级S连接于第一保护电路(101)的电压输出端,漏极D连接于第一电阻器R1的一端;所述第一电阻器R1的另一端连接于第一保护电路(101)的电压输入端。

7.根据权利要求1所述的一种功放保护电路,其特征在于:所述第二保护电路(102)包括第二MOS管保护电路和第二电阻器R2,所述第二MOS管保护电路包括第二PMOS管Q4;

所述第二PMOS管Q4,栅极G连接于控制信号输出端,源级S连接于第二保护电路(102)的电压输出端,漏极D连接于第二电阻器R2的一端;所述第二电阻器R2的另一端连接于第二保护电路(102)的电压输入端。

8.根据权利要求4到7之一所述的一种功放保护电路,其特征在于:所述控制信号输出端来自同一控制信号输出端OUT_EN。

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