[实用新型]IGBT驱动电路及电力转换设备

权利要求书

1.一种IGBT驱动电路，其特征在于，包括：

驱动芯片(10)，具有第一驱动信号端口(Vo)；

驱动电阻调节电路(20)，连接于所述第一驱动信号端口(Vo)与所述IGBT的栅极(G)之间，所述驱动电阻调节电路(20)形成的驱动电阻大小可调；

尖峰电压检测电路(30)，连接于与所述第一驱动信号端口(Vo)导通的IGBT的栅极(G)，所述尖峰电压检测电路(30)被配置为在IGBT关断时监测是否出现尖峰电压；和

电阻调节控制电路(40)，连接于所述尖峰电压检测电路(30)与所述驱动电阻调节电路(20)之间，被配置为在IGBT关断监测到尖峰电压时，使所述驱动电阻调节电路(20)形成的电阻减小。

2.根据权利要求1所述的IGBT驱动电路，其特征在于，所述驱动电阻调节电路(20)包括：第一驱动电阻(R1)、第一MOS管(Q1)、第二驱动电阻(R2)和第三防反二极管(D3)；

其中，所述第一驱动电阻(R1)的第一端与所述第一驱动信号端口(Vo)导通，所述第一驱动电阻(R1)的第二端与所述IGBT的栅极(G)导通，所述第一MOS管(Q1)、第二驱动电阻(R2)和第三防反二极管(D3)串联后与所述第一驱动电阻(R1)并联。

3.根据权利要求2所述的IGBT驱动电路，其特征在于，所述驱动芯片(10)具有正向偏压输出端口(Vcc)，所述第一MOS管(Q1)的第一栅极(g1)与所述正向偏压输出端口(Vcc)和所述电阻调节控制电路(40)连接；

其中，所述电阻调节控制电路(40)被配置为在IGBT关断后电压正常的情况下，使所述第一MOS管(Q1)的第一栅极(g1)接地而关断，使驱动电阻为所述第一驱动电阻(R1)；且在监测到尖峰电压时，使所述第一MOS管(Q1)的第一栅极(g1)与所述电阻调节控制电路(40)连接处的电压低于所述正向偏压输出端口(Vcc)的电压，以接通所述第一MOS管(Q1)使驱动电阻为所述第一驱动电阻(R1)和所述第二驱动电阻(R2)并联形成的电阻。

4.根据权利要求2所述的IGBT驱动电路，其特征在于，所述驱动芯片(10)具有正向偏压输出端口(Vcc)，所述第一MOS管(Q1)的第一栅极(g1)与所述正向偏压输出端口(Vcc)之间通过第一保护电阻(R3)连接。

5.根据权利要求1所述的IGBT驱动电路，其特征在于，所述尖峰电压检测电路(30)包括：PNP型三极管(Q4)、击穿二极管(Z1)、第一防反二极管(D1)、第二保护电阻(R7)和第三保护电阻(R9)；

其中，所述击穿二极管(Z1)、第一防反二极管(D1)和第二保护电阻(R7)依次串联，所述第二保护电阻(R7)与所述电阻调节控制电路(40)连接，所述PNP型三极管(Q4)的发射极与所述击穿二极管(Z1)连接，所述PNP型三极管(Q4)的集电极与所述IGBT的栅极(G)直接连接，所述PNP型三极管(Q4)的基极通过所述第三保护电阻(R9)与所述IGBT的栅极(G)连接。

6.根据权利要求1所述的IGBT驱动电路，其特征在于，所述驱动芯片(10)具有与IGBT的射极(E)导通的第二驱动信号端口(V_E)，所述尖峰电压检测电路(30)与所述电阻调节控制电路(40)的连接处通过第四保护电阻(R8)与所述第二驱动信号端口(V_E)连接。