[实用新型]晶片光阻去除装置有效
申请号: | 202022894767.7 | 申请日: | 2020-12-04 |
公开(公告)号: | CN214896212U | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
发明(设计)人: | 钟兴进 | 申请(专利权)人: | 广州市鸿浩光电半导体有限公司 |
主分类号: | G03F7/42 | 分类号: | G03F7/42 |
代理公司: | 厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) 35227 | 代理人: | 吴圳添 |
地址: | 511300 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 去除 装置 | ||
一种晶片光阻去除装置,包括机台,所述机台上方设置有顶板,顶板底端设置有滑轨,滑轨上设置有操纵臂,操纵臂底端设置有载具,所述机台内部左侧设置有紫外线箱,紫外线箱右侧设置有剥离箱,剥离箱内底端设置有加热件,剥离箱两侧设置有超声装置,通过PLC控制器可以进行编程,对操纵臂进行设定,使操纵臂在滑轨上进行滑动,操纵臂依次滑到紫外线箱顶端,通过操纵箱的伸缩功能伸入紫外线箱内部,通过紫外线灯管照射待去除的光阻层,然后升起滑动到剥离箱顶端,在伸入剥离箱内部,通过超声装置对晶片进行震动去除光阻,最后在升起滑动到清洗箱顶端,并通过清洗箱内部水源清洗晶片上残留的光阻剥离液,提高了光阻去除装置的实用性和方便性。
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,具体为一种晶片光阻去除装置。
背景技术
晶片是LED最主要的原物料之一,是LED的发光部件,LED最核心的部分,晶片的好坏将直接决定LED的性能。晶片是由是由Ⅲ和Ⅴ族复合半导体物质构成。在LED封装时,晶片来料呈整齐排列在晶片膜上。
例如公开号为“CN201920494127.1”专利名称为:“一种集成电路芯片光阻去除装置”的专利,其公开了“包括机台,所述机台上依次排列设置有若干去光阻槽体,每个去光阻槽体均包括内槽体和外槽体,所述外槽体位于内槽体外周,所述内槽体内盛有可溢流至外槽体内的去光阻液,所述内槽体内设置有超声发生器,内槽体内还设置有加热装置,加热装置与温控系统电连接,所述内槽体内放置有可升降的晶圆载具,所述晶圆载具上定位放置有晶舟,晶舟内竖直放置有若干平行的晶圆;所述外槽体内部通过外接管道与内槽体底部相连通,所述外接管道上分别设置有循环泵和过滤芯。将晶圆放到晶舟的晶圆槽内,再将各晶舟对应放到各晶圆载具上,使得晶舟的两个侧支撑块分别支撑在对应晶圆载具的左侧板和右侧板上,左侧的定位块位于左侧板外侧,右侧的定位块位于右侧板外侧;升降控制机构启动,控制杆带动晶舟下降浸没到对应去光阻槽体内;循环泵开启时,内槽体内的去光阻液具有自下而上的稳态流场,去光阻液从内槽体上方溢流至外槽体,外槽体内的去光阻液经过滤后,由外接管道输送到内槽体底部,完成一个循环;超声发生器先开启工作,因为超声波的空化作用会在去光阻液中形成大量有气泡的射流,内槽体内的自下而上的稳态流场会被破坏,内槽体的去光阻液中会有涡流、乱流产生,超声波加速了晶圆上光阻的脱落,但是自下而上的稳态流场被破坏后,会有部分未溶解光阻一直处在内槽体的涡流中,无法溢流到外槽体;然后超声发生器关闭,内槽体内自下而上的稳态流场会重新形成,给予足够时间可以将内槽体中未溶解光阻溢流至外槽体内,继而通过过滤芯被过滤处理掉。与现有技术相比,本实用新型的有益效果在于:通过晶舟和晶圆载具将晶圆稳定地放在去光阻液中,处理时竖直放置的晶圆不会晃动;超声波可以加速“光阻溶胀+光阻剥离+光阻溶解”的光阻去除反应;能够防止光阻回粘在晶圆上,提高光阻去除效率,降低晶圆上的光阻残留不良率”。
但是现有的晶片光阻去除装置在使用时,光阻去除不彻底,使用不方便等,并且去除掉的光阻不易清理。
实用新型内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种结构简单、使用方便的晶片光阻去除装置。
(二)技术方案
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
晶片光阻去除装置,包括机台,所述机台上方设置有顶板,顶板底端设置有滑轨,所述滑轨上设置有操纵臂,操纵臂底端设置有载具,所述机台内部左侧设置有紫外线箱,紫外线箱右侧设置有剥离箱,所述剥离箱内底端设置有加热件,剥离箱两侧设置有超声装置,所述剥离箱右侧设置有清洗箱,清洗箱内部设置有滤网,清洗箱内底端设置有导流板,所述清洗箱底端设置有排水管,排水管一端与清洗箱相通,另一端上设置有导水箱,所述导水箱右侧设置有抽水管,抽水管一端设置有泵体,所述泵体一端设置有导水管,导水管一端与清洗箱相通,所述机体上设置有PLC控制器。
为了实现更好的清理,本实用新型改进有,所述清洗箱内壁两侧设置有卡块,所述滤网与卡块相适配,卡块与滤网可活动连接。
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