[实用新型]一种集成CMOS电路的热电堆传感器系统

权利要求书

1.一种集成CMOS电路的热电堆传感器系统，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；

CMOS电路，位于所述第一区域内；

热电堆传感器，位于所述第二区域内，包括多个热电堆结构以及第一类金属连线，所述第一类金属连线将所述多个热电堆结构与所述CMOS电路串联连接。

2.根据权利要求1所述的热电堆传感器系统，其特征在于，所述热电堆传感器还包括：

位于所述衬底中的空腔，所述多个热电堆结构位于所述空腔的上方；以及

位于所述多个热电堆结构之间的释放孔，

其中，每个所述热电堆结构包括多个第一悬臂梁、每个所述第一悬臂梁上的至少一个热电偶和红外吸收薄膜。

3.根据权利要求1所述的热电堆传感器系统，其特征在于，所述热电堆传感器还包括：

多个第二悬臂梁，所述多个热电堆结构之间通过所述第二悬臂梁彼此连接。

4.根据权利要求2所述的热电堆传感器系统，其特征在于，所述多个第一悬臂梁的一端与所述空腔的对应位置的所述衬底连接并分别沿第一方向和第二方向延伸，所述多个第一悬臂梁的另一端与所述红外吸收薄膜连接。

5.根据权利要求4所述的热电堆传感器系统，其特征在于，所述多个第一悬臂梁分别自所述空腔的顶角沿互相垂直的第一方向和第二方向延伸，并与所述红外吸收薄膜相对的两个顶角连接。

6.根据权利要求2所述的热电堆传感器系统，其特征在于，每个所述热电偶由沿所述第一悬臂梁延伸的弯曲条状结构和位于所述红外吸收薄膜中的三角形结构构成。

7.根据权利要求2所述的热电堆传感器系统，其特征在于，所述热电偶位于所述红外吸收薄膜的中心位置的一端为热端，所述热电偶位于所述第一悬臂梁和所述衬底连接位置的另一端为冷端。

8.根据权利要求7所述的热电堆传感器系统，其特征在于，所述热电偶包括P型多晶硅电阻和N型多晶硅电阻。

9.根据权利要求8所述的热电堆传感器系统，其特征在于，每个所述热电堆结构还包括：

第二类金属连线，每个所述热电偶的N型多晶硅电阻和P型多晶硅电阻在热端的一端通过所述第二类金属连线连接。

10.根据权利要求9所述的热电堆传感器系统，其特征在于，每个所述热电堆结构还包括：

第三类金属连线，每个所述热电偶中的N型多晶硅电阻或P型多晶硅电阻在冷端的一端与相邻的热电偶中的P型多晶硅电阻或N型多晶硅电阻在冷端的一端通过所述第三类金属连线连接。

11.根据权利要求10所述的热电堆传感器系统，其特征在于，每个所述热电堆结构还包括：

接触孔，位于所述第一类金属连线、所述第二类金属连线和所述第三类金属连线与所述热电偶中的P型多晶硅电阻和/或N型多晶硅电阻之间。

12.根据权利要求8所述的热电堆传感器系统，其特征在于，所述红外吸收薄膜包括依次堆叠的第一介质层、第二介质层和第三介质层，

其中，所述第一介质层位于所述P型多晶硅电阻下方，所述第二介质层位于所述P型多晶硅电阻和所述N型多晶硅电阻之间，所述第三介质层位于所述N型多晶硅上方。

13.根据权利要求8所述的热电堆传感器系统，其特征在于，所述红外吸收薄膜包括依次堆叠的第一介质层、第二介质层和第三介质层，

其中，所述第一介质层位于所述N型多晶硅电阻下方，所述第二介质层位于所述N型多晶硅电阻和所述P型多晶硅电阻之间，所述第三介质层位于所述P型多晶硅上方。

14.根据权利要求12或13所述的热电堆传感器系统，其特征在于，所述红外吸收薄膜还包括覆盖所述热电堆传感器的钝化层。