[实用新型]一种绕丝结构

权利要求书

1.一种绕丝结构,其特征在于：包括炉丝，所述炉丝由炉口辅热区炉丝、恒温区炉丝和炉尾辅热区炉丝构成，所述炉口辅热区炉丝、恒温区炉丝以及炉尾辅热区炉丝在轴向分别由多组温区炉丝构成，至少一组温区炉丝在圆周方向由至少两组分区构成，各分区分别与电路连接，电路控制各分区所在区域的温度。

2.根据权利要求1所述的一种绕丝结构，其特征在于：所述炉口辅热区炉丝、恒温区炉丝、炉尾辅热区炉丝的温区炉丝在圆周方向的分区分别设置为四组，包括上端部、右端部、下端部以及左端部，所述上端部、右端部、下端部以及左端部分别由一路电路控制，所述上端部、右端部、下端部以及左端部控制硅片组所在区域的温度。

3.根据权利要求2所述的一种绕丝结构，其特征在于：所述上端部、右端部、下端部以及左端部的电路控制方式包括两种，一种通过热电偶主控和跟随控制方式，所述上端部、右端部、下端部以及左端部中不大于三组分区的电路作为主路，每路主路由热电偶反馈控制，其余分区的电路依据主路做跟随控制；另一种通过热电偶单独控制方式，控制上端部、右端部、下端部以及左端部的电路均作为主路，每路主路均由热电偶反馈控制。

4.根据权利要求2所述的一种绕丝结构，其特征在于：所述上端部位于硅片组上方，所述右端部位于硅片组右方，所述下端部位于硅片组下方，所述左端部位于硅片组左方，上端部控制硅片组上部硅片所在区域的温度，所述下端部控制硅片组下部硅片所在区域的温度，所述右端部以及左端部控制硅片组中部硅片所在区域的温度，依据上部硅片、中部硅片以及下部硅片所在区域的温度设定上端部、右端部、下端部以及左端部电路的功率。

5.根据权利要求1所述的一种绕丝结构，其特征在于：所述炉口辅热区炉丝、恒温区炉丝、炉尾辅热区炉丝的温区炉丝在圆周方向的分区分别设置为三组，包括一路、二路以及三路，所述一路、二路以及三路分别由一路电路控制，所述一路、二路以及三路控制硅片组所在区域的温度。

6.根据权利要求5所述的一种绕丝结构，其特征在于：所述一路、二路以及三路的电路控制方式包括两种，一种通过热电偶主控和跟随控制方式，一路、二路以及三路三部分中不大于两组的分区电路作为主路，每路主路由热电偶反馈控制，其余分区的电路依据主路做跟随控制；另一种通过热电偶单独控制方式，一路、二路以及三路均作为主路，每路主路均由热电偶反馈控制，所述一路、二路以及三路的电路功率根上部硅片、中部硅片以及下部硅片所在区域的温度设定。

7.根据权利要求1所述的一种绕丝结构，其特征在于：所述炉口辅热区炉丝、恒温区炉丝、炉尾辅热区炉丝的温区炉丝在圆周方向的分区设置为两组，包括上一路以及下一路，所述上一路以及下一路分别由一路电路控制，所述上一路以及下一路控制硅片组所在区域的温度。

8.根据权利要求7所述的一种绕丝结构，其特征在于：所述上一路以及下一路的电路控制方式包括两种，一种通过热电偶主控和跟随控制方式，所述上一路以及下一路中任一分区的电路作为主路，主路由热电偶反馈控制，另一个依据主路做跟随控制；另一种通过热电偶单独控制方式，上一路以及下一路的电路均作为主路，每路主路均由热电偶反馈控制，所述上一路以及下一路的电路功率根据硅片组的上部硅片、中部硅片以及下部硅片所在区域的温度设定。

9.根据权利要求1所述的一种绕丝结构，其特征在于：所述炉口辅热区炉丝、恒温区炉丝以及炉尾辅热区炉丝中每组温区炉丝的各分区炉丝均等分布。