[实用新型]一种铸锭炉有效

专利信息
申请号: 202022871644.1 申请日: 2020-12-02
公开(公告)号: CN214032743U 公开(公告)日: 2021-08-24
发明(设计)人: 黎晓丰;陈伟;李林东;唐珊珊 申请(专利权)人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
主分类号: C30B11/00 分类号: C30B11/00;C30B29/06
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 胡彬
地址: 215129 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 铸锭
【说明书】:

实用新型公开了一种铸锭炉,其属于光伏技术领域,该铸锭炉包括炉体,所述炉体内设有容置腔,所述铸锭炉还包括硅液搅拌装置,所述硅液搅拌装置包括:转动部,上端与所述炉体的顶部密封连接且能够相对所述炉体转动,下端伸入所述容置腔内;搅拌部,包括连接件和搅拌叶片,所述连接件的上端与所述转动部的下端可拆卸连接,且所述转动部能够带动所述连接件相对所述炉体转动,所述连接件上设有多个所述搅拌叶片,每一所述搅拌叶片均与所述连接件可拆卸连接。本实用新型能够解决现有技术中存在的在铸锭炉中生产光伏铸造单晶时,铸造单晶硅晶体内有阴影而影响晶体质量的技术问题。

技术领域

本实用新型涉及光伏技术领域,尤其涉及一种铸锭炉。

背景技术

光伏铸造单晶因为能用多晶铸锭的成本产出接近单晶质量的晶体,从而称为很有竞争力的一种光伏硅晶体生长方法。

铸造单晶的制作方法为:在铸锭炉的底部防止单晶籽晶,待单晶籽晶半融后通过定向凝固引晶生长。

但是,在铸造单晶的制作过程中,阴影是常见的一种晶体缺陷。阴影产生的原因是铸锭炉中氮化硅涂层的氮元素溶解进入硅液内部,在晶体定向生长过程中,在氮原子分凝过程的固液界面液体一侧形成氮原子富集层,在适当生长条件下氮原子富集层中过饱和的氮原子在固液界面就会形成氮化硅絮状杂质,从而使得铸造单晶硅晶体内存在杂质,存在杂质的区域在红外探伤仪的观测下呈阴影区域。阴影的存在使得太阳能电池的效率大幅降低,且不利于晶体切割。

因此,亟需一种铸锭炉来解决上述问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种铸锭炉,以解决现有技术中存在的在铸锭炉中生产光伏铸造单晶时,铸造单晶硅晶体内有阴影而影响晶体质量的问题。

如上构思,本实用新型所采用的技术方案是:

一种铸锭炉,包括炉体,所述炉体内设有容置腔,所述铸锭炉还包括硅液搅拌装置,所述硅液搅拌装置包括:

转动部,上端与所述炉体的顶部密封连接且能够相对所述炉体转动,下端伸入所述容置腔内;

搅拌部,包括连接件和搅拌叶片,所述连接件的上端与所述转动部的下端可拆卸连接,且所述转动部能够带动所述连接件相对所述炉体转动,所述连接件上设有多个所述搅拌叶片,每一所述搅拌叶片均与所述连接件可拆卸连接;

所述搅拌部被配置为对搅拌坩埚内的液态硅进行搅拌。

作为铸锭炉的一种优选方式,所述炉体的顶部设有与所述容置腔连通的开口,所述开口处盖设有盖板,所述盖板上设有开孔,所述开孔中设置有密封圈,所述转动部穿过所述密封圈并向下延伸至所述容置腔内。

作为铸锭炉的一种优选方式,所述开孔的内壁设有密封圈安装槽,所述密封圈设于所述密封圈安装槽内。

作为铸锭炉的一种优选方式,所述密封圈的内圈中涂设有真空酯。

作为铸锭炉的一种优选方式,沿所述连接件的轴线方向,于所述连接件上间隔设有多组搅拌叶片组件,每一所述搅拌叶片组件包括至少一个所述搅拌叶片,相邻两组所述搅拌叶片组件的所述搅拌叶片交错设置。

作为铸锭炉的一种优选方式,每一所述搅拌叶片组件包括多个所述搅拌叶片,每一所述搅拌叶片组件的多个所述搅拌叶片沿所述连接件的周向间隔设置。

作为铸锭炉的一种优选方式,所述连接件包括:

连接体,所述连接体呈柱状且上端与所述转动部可拆卸连接;

搅拌叶片安装体,呈板状,与所述连接体的下端固定连接,所述搅拌叶片可拆卸设于所述搅拌叶片安装体。

作为铸锭炉的一种优选方式,所述连接件包括:

连接体,所述连接体呈柱状且其上端与所述转动部可拆卸连接;

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