[实用新型]掉电保持电路及电子设备有效
申请号: | 202022869203.8 | 申请日: | 2020-12-02 |
公开(公告)号: | CN213399501U | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 王战孟;王奚;杨银香;邵慧;雷志军;王建民 | 申请(专利权)人: | 北京和利时智能技术有限公司 |
主分类号: | G06F1/30 | 分类号: | G06F1/30;G06F11/14 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 姚璐华 |
地址: | 100176 北京市大兴区经济技术*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 掉电 保持 电路 电子设备 | ||
1.一种掉电保持电路,其特征在于,包括:第一直流-直流电压转换器、第二直流-直流电压转换器、MCU、非易失性存储器、易失性存储器、掉电检测模块和电容充放电电路;
所述第一直流-直流电压转换器的输入端连接电源,所述第一直流-直流电压转换器的输出端分别连接所述电容充放电电路的输入端和所述第二直流-直流电压转换器的输入端;
所述电容充放电电路的输出端连接所述第二直流-直流转换器的输入端;
所述第二直流-直流转换器的第一输出端连接所述MCU的供电端,所述第二直流-直流转换器的第二输出端连接所述非易失性存储器的供电端,所述第二直流-直流转换器的第三输出端连接所述易失性存储器的供电端;
所述掉电检测模块的输入端连接所述电源,所述掉电检测模块的输出端连接所述MCU的中断端;
所述电容充放电电路包括超级电容,连接在所述电容充放电电路的输入端与所述超级电容之间的充电控制电路,以及连接在所述电容充放电电路的输出端与所述超级电容之间的放电控制电路。
2.根据权利要求1所述的掉电保持电路,其特征在于,所述充电控制电路,包括:
串联的第一负载开关和限流电阻。
3.根据权利要求2所述的掉电保持电路,其特征在于,所述第一负载开关,具体为:
SGM2566B。
4.根据权利要求1所述的掉电保持电路,其特征在于,所述放电控制电路,包括:
并联的第二负载开关和第一二极管,所述第一二极管的导通方向指向所述电容充放电电路的输出端。
5.根据权利要求4所述的掉电保持电路,其特征在于,所述第二负载开关,具体为:
SGM2566B。
6.根据权利要求1所述的掉电保持电路,其特征在于,所述掉电检测模块,包括:
一端连接所述电源的第一电阻;
一端与所述第一电阻的另一端连接,且另一端接地的第二电阻;
PFI引脚连接在所述第一电阻和所述第二电阻的连接线上的监控芯片,所述监控芯片的VCC引脚连接供电电压,所述监控芯片的PFO引脚连接所述掉电检测模块的输出端;
连接在所述PFI引脚和地之间的第二二极管,所述第二二极管的导通方向指向所述PFI引脚;以及,
连接在所述供电电压和所述PFO引脚之间的第三电阻。
7.根据权利要求6所述的掉电保持电路,其特征在于,所述监控芯片,具体为:
SGM706-TYS8G/TR。
8.根据权利要求1所述的掉电保持电路,其特征在于,所述易失性存储器,具体为:
DDR3。
9.根据权利要求1~8中任意一项所述的掉电保持电路,其特征在于,所述非易失性存储器,具体为:
FLASH和F-RAM中的一种。
10.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求1~9中任意一项所述的掉电保持电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京和利时智能技术有限公司,未经北京和利时智能技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202022869203.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种防止银粉粘罐壁的超声波振动球磨分散装置
- 下一篇:一种云母发热片