[实用新型]一种抗电磁干扰抗浪涌碳化硅MPS器件

权利要求书

1.一种抗电磁干扰抗浪涌碳化硅MPS器件，其特征在于，包括：

阴极电极，包括阴极一区(3)和阴极二区(4)；

N+衬底区(11)，位于所述阴极一区(3)的上方，所述阴极二区(4)位于N+衬底区(11)上；

N-外延层，由下至上依次包括一次N-外延层(5)，二次N-外延层(6)和三次N-外延层(7)；所述一次N-外延层(5)位于N+衬底区(11)的上方，所述一次N-外延层(5)、二次N-外延层(6)和三次N-外延层(7)均包括分布在阴极二区(4)左侧和右侧的部分；

N+离子注入区，包括N+离子注入区一区(12)和N+离子注入区二区(13)，N+离子注入区一区(12)位于阴极二区(4)左侧以及阴极二区(4)左侧的各N-外延层(5)的右表面之间；所述N+离子注入区二区(13)位于阴极二区(4)右侧和阴极二区(4)右侧的各N-外延层(5)的左表面之间；

阳极电极，包括阳极一区(1)和阳极二区(2)，阳极一区(1)位于阴极二区(4)左侧的一次N-外延层(5)的上方，且其右表面和二次N-外延层(6)以及三次N-外延层(7)的左表面相邻；阳极二区(2)位于阴极二区(4)右侧的一次N-外延层(5)的上方，且其左表面和二次N-外延层(6)以及三次N-外延层(7)的右表面相邻；

P+离子注入区，包括一次P+离子注入区(8)，二次P+离子注入区(9)和三次P+离子注入区(10)；所述一次P+离子注入区(8)位于一次N-外延层(5)的上表面，且与阳极一区(1)和阳极二区(2)的下表面相邻，阳极一区(1)最边缘的一次P+离子注入区(8)位于一次N-外延层(5)，二次N-外延层(6)以及阳极一区(1)三者交汇处，且与二次N-外延层(6)的下表面相邻；阳极二区(2)最边缘的一次P+离子注入区(8)位于一次N-外延层(5)，二次N-外延层(6)以及阳极二区(2)三者交汇处，且与二次N-外延层(6)的下表面相邻；

所述二次P+离子注入区(9)位于二次N-外延层(6)上表面，阴极二区(4)两侧的二次P+离子注入区(9)分别与阳极一区(1)和阳极二区(2)靠近阴极二区(4)的一侧表面相邻；三次P+离子注入区(10)位于三次N-外延层(7)上表面，阴极二区(4)两侧的三次P+离子注入区(10)分别与阳极一区(1)和阳极二区(2)靠近阴极二区(4)的一侧表面相邻。

2.如权利要求1所述的抗电磁干扰抗浪涌碳化硅MPS器件，其特征在于，所述阳极一区(1)的宽度为12μm～25μm，厚度为12μm～50μm，阳极二区(2)的宽度为12μm～25μm，厚度为12μm～50μm。

3.如权利要求1所述的抗电磁干扰抗浪涌碳化硅MPS器件，其特征在于，所述阴极一区(3)宽度为36μm～70μm，厚度10μm，阴极二区的宽度为1μm，高度为17μm～55μm，阴极二区(4)的宽度为1μm，高度为17μm～50μm。