[实用新型]驱动装置、电源、芯片及电子设备有效

专利信息
申请号: 202022854863.9 申请日: 2020-12-01
公开(公告)号: CN213276405U 公开(公告)日: 2021-05-25
发明(设计)人: 吴俊杰;陈天豪 申请(专利权)人: 北京集创北方科技股份有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 100176 北京市大*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 驱动 装置 电源 芯片 电子设备
【说明书】:

实用新型涉及驱动装置、电源、芯片及电子设备,所述装置包括:第一驱动模块,用于接收第一输入电压,并在所述芯片的逻辑电压达到预设电位时,利用所述第一输入电压产生第一输出电压以驱动所述芯片,其中,第一输入电压、第一输出电压为正电压;第二驱动模块,用于接收第二输入电压,并在所述芯片的逻辑电压达到预设电位时,利用第二输入电压产生第二输出电压以驱动所述芯片,其中,所述第二输入电压、第二输出电压为负电压。本实用新型实施例可以避免在电路组件的逻辑电压未达到预设电位时直接利用第一输入电压、第二输入电压驱动电路组件,导致IC内部因逻辑控制错误出现大电流或闩锁效应损坏电路,提高了电路组件的稳定性、安全性。

技术领域

本实用新型涉及电源技术领域,尤其涉及一种驱动装置、电源、芯片及电子设备。

背景技术

目前,当集成电路(Integrated Circuit,IC)内部用来控制逻辑的电压尚未产生之前,内部所有控制皆处于不确定的状态下,若此时外部提供的电压灌入,可能导致IC内部因逻辑控制错误出现大电流或闩锁效应(latch up),损坏电路。

实用新型内容

有鉴于此,本实用新型提出了一种驱动装置、电源、芯片及电子设备,能够避免IC内部因逻辑控制错误出现大电流或闩锁效应。

根据本实用新型的一个方面,提出了一种驱动装置,所述装置应用于电路组件中,所述装置包括:

第一驱动模块,用于接收第一输入电压,并在所述电路组件的逻辑电压达到预设电位时,利用所述第一输入电压产生第一输出电压以驱动所述电路组件,其中,所述第一输入电压、第一输出电压为正电压;

第二驱动模块,用于接收第二输入电压,并在所述电路组件的逻辑电压达到预设电位时,利用所述第二输入电压产生第二输出电压以驱动所述电路组件,其中,所述第二输入电压、第二输出电压为负电压。

在一种可能的实施方式中,所述第一驱动模块包括第一晶体管、第二晶体管、第一电阻,其中,

所述第一电阻的第一端用于接收所述第一输入电压,

所述第一电阻的第二端电连接于所述第一晶体管的漏极及所述第二晶体管的栅极,

所述第一晶体管的栅极用于接收所述逻辑电压,所述第一晶体管的源极接地,

所述第二晶体管的漏极用于接收所述第一输入电压,

所述第二晶体管的源极用于输出所述第一输出电压。

在一种可能的实施方式中,若所述逻辑电压为正电压,所述第一晶体管为NMOS晶体管,所述第二晶体管为PMOS晶体管。

在一种可能的实施方式中,若所述逻辑电压为负电压,所述第一晶体管为PMOS晶体管,所述第二晶体管为PMOS晶体管。

在一种可能的实施方式中,所述第二驱动模块包括第三晶体管、第四晶体管、第二电阻,其中,

所述第二电阻的第一端用于接收所述第二输入电压,

所述第二电阻的第二端电连接于所述第三晶体管的源极及所述第四晶体管的栅极,

所述第三晶体管的栅极接地,所述第三晶体管的漏极用于接收所述逻辑电压,

所述第四晶体管的漏极用于输入所述第二输入电压,

所述第四晶体管的源极用于输出所述第二输出电压。

在一种可能的实施方式中,若所述逻辑电压为正电压,所述第三晶体管为PMOS晶体管,所述第四晶体管为NMOS晶体管。

在一种可能的实施方式中,若所述逻辑电压为负电压,所述第三晶体管为NMOS晶体管,所述第四晶体管为NMOS晶体管。

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