[实用新型]一种新型镂空挡杆结构的半成品电池片载体有效

专利信息
申请号: 202022852098.7 申请日: 2020-12-02
公开(公告)号: CN213519901U 公开(公告)日: 2021-06-22
发明(设计)人: 张望望;陈实;树式;夏利鹏;吴圣;李干;陈经纬 申请(专利权)人: 江苏龙恒新能源有限公司
主分类号: H01L21/673 分类号: H01L21/673;H01L31/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 210000 江苏省宿迁市经济*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 镂空 结构 半成品 电池 载体
【说明书】:

本实用新型公开了一种新型镂空挡杆结构的半成品电池片载体,具体涉及半成品电池片载体技术领域,其技术方案是:包括载体,所述载体包括支撑杆、空心挡杆一和空心挡杆二,所述空心挡杆一内壁圆周均匀开设有通孔一,所述空心挡杆一顶部均匀固定安装卡齿,所述卡齿设置为空心,所述空心挡杆二内壁圆周均匀开设有通孔二,所述空心挡杆二外壁两端固定安装升降板;所述支撑杆内壁开设有升降槽,所述支撑杆顶端内壁螺纹连接螺柱,所述螺柱底端穿过所述升降槽延伸至升降孔内壁,所述螺柱一端插接在轴承内壁,本实用新型的有益效果是:不仅具有改善硅片和载体表面的烘干效果,还减少了半成品电池片的外观不良。

技术领域

本实用新型涉及半成品电池片载体领域,具体涉及一种新型镂空挡杆结构的半成品电池片载体。

背景技术

熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成三维空间长程有序的形式成为单晶硅,单晶硅具有准金属的物理性质,有较弱的导电性,其电导率随温度的升高而增加,有显著的半导电性,超纯的单晶硅是本征半导体,在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA 族元素,如硼可提高其导电的程度,而形成p型硅半导体,如掺入微量的ⅤA族元素,如磷或砷也可提高导电程度,形成n型硅半导体,单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅,单晶硅主要用于制作半导体元件,而单晶硅片是硅的单晶体,是具有基本完整的点阵结构的晶体,单晶硅片在制绒和碱抛工艺中,载体需要承载硅片在化学品和纯水中进行多次化学反应和水洗。

现有技术存在以下不足:现有的载体所用的档杆结构和卡齿结构均是实心结构,与硅片接触贴合的部分导致硅片和载体上残留有不少的化学品液体,从而影响到最后的烘干效果,导致硅片本身的外观不良,从而影响到成品电池片的效率和良率。

因此,发明一种新型镂空挡杆结构的半成品电池片载体很有必要。

实用新型内容

为此,本实用新型提供一种新型镂空挡杆结构的半成品电池片载体,通过将档杆结构设置成空心,并且在档杆结构上均匀开设有通孔,以及再通过将卡齿结构设置成空心,以解决现有的载体所用的档杆结构和卡齿结构均是实心结构的问题。

为了实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种新型镂空挡杆结构的半成品电池片载体,包括载体,所述载体包括支撑杆、空心挡杆一和空心挡杆二,所述空心挡杆一内壁圆周均匀开设有通孔一,所述空心挡杆一顶部均匀固定安装卡齿,所述卡齿设置为空心,所述空心挡杆二内壁圆周均匀开设有通孔二,所述空心挡杆二外壁两端固定安装升降板;

所述支撑杆内壁开设有升降槽,所述支撑杆顶端内壁螺纹连接螺柱,所述螺柱底端穿过所述升降槽延伸至升降孔内壁,所述螺柱一端插接在轴承内壁,所述升降板内壁插接所述轴承,所述升降孔顶端内壁固定安装螺母,所述螺柱底端螺纹连接在所述螺母内壁。

优选的,所述支撑杆共有两组。

优选的,所述支撑杆底端内壁开设有升降孔。

优选的,所述升降槽底端连接所述升降孔。

优选的,所述螺柱顶部固定安装梅花转板。

优选的,所述支撑杆底部固定安装所述空心挡杆一。

本实用新型的有益效果是:

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