[实用新型]具有内埋芯片的多像素封装结构及应用其的电子装置

权利要求书

1.一种具有内埋芯片的多像素封装结构，其特征在于，所述具有内埋芯片的多像素封装结构包括：

一多层线路板；

多个像素，在所述多层线路板上排成一M×N矩阵，其中M和N为大于1的整数，且每一所述像素包括不同颜色的多个发光元件；

一保护层，形成于所述多层线路板上，且覆盖多个所述像素；以及

一控制芯片，内埋于所述多层线路板中，且与每一所述像素的多个所述发光元件电性连接，以使每一所述像素产生一目标发光特性。

2.根据权利要求1所述的具有内埋芯片的多像素封装结构，其特征在于，所述多层线路板包括一基础层，其具有一第一表面、一相对于所述第一表面的第二表面以及一贯穿所述第一表面与所述第二表面的开槽，且所述控制芯片设置于所述开槽内。

3.根据权利要求2所述的具有内埋芯片的多像素封装结构，其特征在于，所述控制芯片的一外周面与所述开槽的一内壁面界定出一环形空间，其具有10微米至100微米的宽度。

4.根据权利要求3所述的具有内埋芯片的多像素封装结构，其特征在于，所述基础层的厚度小于所述控制芯片的高度0微米至20微米。

5.根据权利要求3所述的具有内埋芯片的多像素封装结构，其特征在于，所述多层线路板还包括一填充于所述环形空间的填隙层，且所述控制芯片被所述填隙层固定住。

6.根据权利要求3所述的具有内埋芯片的多像素封装结构，其特征在于，所述控制芯片具有一主动面，所述主动面与所述外周面相互垂直且位于所述基础层的所述第一表面的附近，且所述主动面具有多个电性接点；其中，每一所述像素的多个所述发光元件的数量为L个，且多个所述电性接点的数量为M×N×L个。

7.根据权利要求6所述的具有内埋芯片的多像素封装结构，其特征在于，所述多层线路板的底部包括多个连接垫，且多个所述连接垫的数量少于M×N×L个。

8.根据权利要求5所述的具有内埋芯片的多像素封装结构，其特征在于，所述多层线路板还包括多个上图案化金属层以及多个下图案化金属层，多个所述上图案化金属层层叠于所述基础层的所述第一表面上，多个所述下图案化金属层层叠于所述基础层的所述第二表面上，且所述控制芯片与多个所述上图案化金属层和多个所述下图案化金属层之间相互电性连接；其中，多个所述像素设置于最外侧的所述上图案化金属层上。

9.根据权利要求8所述的具有内埋芯片的多像素封装结构，其特征在于，所述多层线路板还包括多个胶合层，其中一个所述胶合层形成于所述基础层的所述第一表面与最内侧的所述上图案化金属层之间，另外一个所述胶合层形成于所述基础层的所述第二表面与最内侧的所述下图案化金属层之间，且所述环形空间被其中一个所述胶合层与另外一个所述胶合层封闭。

10.根据权利要求9所述的具有内埋芯片的多像素封装结构，其特征在于，所述填隙层、其中一个所述胶合层与另外一个所述胶合层结合成一体。

11.根据权利要求9所述的具有内埋芯片的多像素封装结构，其特征在于，相邻的两个所述上图案化金属层之间形成有一上绝缘芯层，其具有多个上导通孔，用以连接相邻的两个所述上图案化金属层；相邻的两个所述下图案化金属层之间形成有一下绝缘芯层，其具有多个下导通孔，用以连接相邻的两个所述下图案化金属层。