[实用新型]一种多故障监测单元的IGBT驱动电路

说明书

本实用新型公开了一种多故障监测单元的IGBT驱动电路，其包括IGBT管Q24，所述IGBT管Q24的门极连接驱动电路，发射极通过分压电阻R1接地，同时发射极连接比较器COMP4的同相输入端，比较器COMP4的反相输入端输入参考电压，比较器COMP4的输出端输出信号至控制电路，所述驱动电路包括高压保护及高边驱动限流电路、高边驱动过流保护和开路保护电路、低边驱动限流电路和欠压保护电路。本实用新型具有高压保护、欠压保护、过流保护、开路保护、高低边的限流和外部IGBT的过流保护等功能，可以大大提高整个电路的安全性和稳定性。

技术领域

本实用新型涉及一种多故障监测单元的IGBT驱动电路，属于电子电路技术领域。

背景技术

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一款通用的功率半导体器件，具有输入阻抗高，电流承载能力强的特点。但因为内部具有PNPN结构，有概率会锁死，为了保护IGBT和驱动电路，亟需提出一种具有多安全监测模块的IGBT驱动电路。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种多故障监测单元的IGBT驱动电路，该电路具有高压保护、欠压保护、过流保护、开路保护、高低边的限流和外部IGBT的过流保护等功能。

本实用新型采取的技术方案是：一种多故障监测单元的IGBT驱动电路，其包括IGBT管Q24，所述IGBT管Q24的门极连接驱动电路，发射极通过分压电阻R1接地，同时发射极连接比较器COMP4的同相输入端，比较器COMP4的反相输入端输入参考电压，比较器COMP4的输出端输出信号至控制电路，所述驱动电路包括高压保护及高边驱动限流电路、高边驱动过流保护和开路保护电路、低边驱动限流电路和欠压保护电路。

进一步的，所述高压保护及高边驱动限流电路包括比较器COMP1，比较器COMP2，MOS管Q4，MOS管Q5，MOS管Q6，MOS管Q7，MOS管Q8，MOS管Q9，MOS管Q10和MOS管Q12；所述比较器COMP1的同相输入端连接IGBT管Q24的门极，反相输入端连接电源，输出端连接MOS管Q4的栅极，所述比较器COMP2的同相输入端连接IGBT管Q24的门极，反相输入端连接电源，输出端连接MOS管Q10的栅极，所述MOS管Q4的源极分别连接MOS管Q7，MOS管Q10和MOS管Q12的源极，MOS管Q4的漏级MOS管Q5的漏级以及MOS管Q5和MOS管Q6的栅极，所述MOS管Q5和MOS管Q6的源极接地，MOS管Q6的漏级连接电流源I4，所述MOS管Q7的栅极连接MOS管Q8的栅极，MOS管Q7的漏级连接电流源I2，所述MOS管Q8和MOS管Q9的源极连接电流源I3，MOS管Q8的漏级连接电流源I1，所述MOS管Q9和MOS管Q10的栅极相互连接，MOS管Q9和MOS管Q10的漏级连接电源，所述MOS管Q12的栅极连接电流源I1，MOS管Q12的漏级连接IGBT管Q24的门极。

进一步的，所述高边驱动过流保护和开路保护电路包括运算放大器OPAMP1，MOS管Q1，MOS管Q2，MOS管Q3，MOS管Q11，MOS管Q13，电流源I5和电流源I6；所述运算放大器OPAMP1的同相输入端连接IGBT管Q24的门极，反相输入端连接MOS管Q11的漏级和MOS管Q13的源极，输出端连接MOS管Q13的栅极，所述MOS管Q11的栅极和源极分别与MOS管Q12的栅极和源极相连，所述MOS管Q13的漏极连接MOS管Q1的漏极和栅极，所述MOS管Q1的源极接地，栅极连接MOS管Q2的栅极，所述MOS管Q2的源极接地，漏极依次通过电流源I6和电流源I5连接至MOS管Q3的漏极，所述MOS管Q3源极接地，栅极连接MOS管Q1和MOS管Q2地栅极。