[实用新型]显示面板、显示装置有效
| 申请号: | 202022829116.X | 申请日: | 2020-11-30 |
| 公开(公告)号: | CN213905360U | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
| 发明(设计)人: | 李彦松;刘月;毕娜;白珊珊 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
本实用新型涉及显示技术领域,提出一种显示面板及显示装置。该显示面板具有第一区及第二区,该显示面板包括衬底基板、发光层、第一电极和多个透明抑制图案;发光层设于衬底基板的一侧,发光层包括多个发光图案,多个发光图案互不交叠;多个透明抑制图案设于衬底基板的一侧,并位于至少部分相邻的发光图案之间,且位于第一区,多个透明抑制图案之间间隔设置;第一电极设于发光层的远离衬底基板的一侧,第一电极上设置有多个通孔,通孔在衬底基板上的正投影与透明抑制图案在衬底基板上的正投影重合。该显示面板在透明抑制图案之上没有设置第一电极,避免第一电极对光线的遮挡,提高第一区的透光率。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及包括该显示面板的显示装置。
背景技术
随着全面屏技术的发展,手机屏占比向着极致化的方向迈进,屏占比越高,视觉观感就越震撼。继刘海屏、水滴屏之后,又出现了“挖孔屏”,但这些并非真全面屏,对全面屏技术来说,要想达到满眼全是显示屏的效果。首要解决的问题就是前置摄像头的“隐藏”,因此显示屏下摄像才是终极解决方案,即做到如屏幕指纹技术一样,将前置摄像头真正“藏”起来。屏下摄像方案对屏下摄像显示区的显示屏的透光率提出一定要求,OLED(OrganicLight-Emitting Diode,有机发光二极管)显示面板中真正透光的部分是发光二极管(子像素)间的缝隙部分。
目前,比较主流的做法是“低像素密度方案”,即降低屏下摄像显示区的像素密度,使屏下摄像显示区的子像素间的空隙增大,从而提升透光率。但是,该区域稀疏的像素密度会导致与周围正常显示区的显示有差异,降低观感,因此,如何在保证显示无差异的前提下,提高屏下摄像显示区的显示面板的透光率是一个难题。
所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服上述现有技术的屏下摄像显示区透光率较低的不足,提供一种屏下摄像显示区透光率较高的显示面板及包括该显示面板的显示装置。
本实用新型的额外方面和优点将部分地在下面的描述中阐述,并且部分地将从描述中变得显然,或者可以通过本实用新型的实践而习得。
根据本公开的一个方面,提供一种显示面板,具有第一区以及第二区,所述显示面板包括:
衬底基板;
发光层,设于所述衬底基板的一侧,所述发光层包括多个发光图案,所述多个发光图案在所述衬底基板上的正投影互不交叠;
多个透明抑制图案,设于所述衬底基板的一侧,并位于至少部分相邻的所述发光图案之间,且所述透明抑制图案位于所述第一区,多个所述透明抑制图案之间间隔设置;
第一电极,设于所述发光层的远离所述衬底基板的一侧,所述第一电极上设置有多个通孔,所述通孔在所述衬底基板上的正投影与所述透明抑制图案在所述衬底基板上的正投影重合。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一区的像素密度与所述第二区的像素密度相同。
在本公开的一种示例性实施例中,所述显示面板还包括:
平坦化层,设于所述衬底基板的一侧,所述平坦化层上设置有第一过孔;
像素定义层,设于所述平坦化层的远离所述衬底基板的一侧,所述像素定义层上设置有第三过孔和第四过孔,所述第三过孔与所述第一过孔连通;
所述透明抑制图案设置在连通的所述第一过孔和所述第三过孔内,所述发光图案设置在所述第四过孔内。
在本公开的一种示例性实施例中,所述透明抑制图案的材料是强极性无机材料或强极性有机材料,所述第一电极的材料是导电金属。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





