[实用新型]一种应用于电子终端产品的电容式MEMS压力传感器有效
申请号: | 202022806319.7 | 申请日: | 2020-11-27 |
公开(公告)号: | CN213364087U | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 王志 | 申请(专利权)人: | 路溱微电子技术(苏州)有限公司 |
主分类号: | G01L1/14 | 分类号: | G01L1/14 |
代理公司: | 苏州尚为知识产权代理事务所(普通合伙) 32483 | 代理人: | 李凤娇 |
地址: | 215151 江苏省苏州市高新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 应用于 电子 终端产品 电容 mems 压力传感器 | ||
1.一种应用于电子终端产品的电容式MEMS压力传感器,其特征在于:由若干电容单元阵列形成,所述电容单元包括由下至上依次设置的基底、在基底上重掺杂形成的下极板、氧化硅层、以及采用CMOS薄膜形成的上极板;所述氧化硅层作为牺牲层,形成上极板与下极板之间的电容间隙;所述CMOS薄膜包括下多晶硅层、以及在下多晶硅层上淀积形成的上多晶硅层,所述下多晶硅层上设置有若干牺牲层释放孔,所述上多晶硅层使电容间隙形成真空密封;所述下极板及上极板上还通过引线连接有焊盘。
2.根据权利要求1所述的一种应用于电子终端产品的电容式MEMS压力传感器,其特征在于:所述上极板端部上端及氧化硅层上端还淀积形成有保护层,所述保护层采用多晶硅、氧化硅、氮化硅或其组合制成。
3.根据权利要求1所述的一种应用于电子终端产品的电容式MEMS压力传感器,其特征在于:所述下极板由P型重掺杂区域构成,其掺杂浓度为2*1018/cm3~1019/cm3。
4.根据权利要求1所述的一种应用于电子终端产品的电容式MEMS压力传感器,其特征在于:所述上多晶硅层与下多晶硅层的厚度相同。
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