[实用新型]薄膜晶体管以及包括其的阵列基板与显示器

说明书

本实用新型提供一种薄膜晶体管，其包括栅极、有机半导体层、栅介电层、源极、漏极以及接面层。有机半导体层与栅极对应地设置。栅介电层设置于栅极与有机半导体层之间。源极以及漏极各自设置于有机半导体层的两侧。接面层设置于有机半导体层与源极以及漏极之间。接面层与源极以及漏极对应地设置，且接面层的材料包括金属氧化物或有机材料。本实用新型另提供一种包括此薄膜晶体管的阵列基板与显示器。在本实用新型的阵列基板中，接面层与源极走线以及漏极走线对应地设置。

技术领域

本实用新型涉及一种薄膜晶体管以及包括其的阵列基板与显示器，且特别是涉及一种有机薄膜晶体管以及包括其的阵列基板与显示器。

背景技术

可挠性显示器具有轻薄、可挠曲及耐冲击等优点，因此，研发新型的可挠性显示器是目前的趋势。习知的可挠性显示器例如可包括非晶硅薄膜晶体管、低温多晶硅薄膜晶体管、金属氧化物薄膜晶体管或有机薄膜晶体管，其中有机薄膜晶体管在经过多次挠曲后可不影响其的电性表现。并且，以材料特性来看，有机薄膜晶体管的柔软性较佳，且有机薄膜晶体管的制作成本较低。然而，有机薄膜晶体管的电性表现虽不受多次挠曲的影响，但有机薄膜晶体管的载子迁移率较小，其意谓着源极以及漏极的载子进入到有机半导体层的难度较大，造成源极以及漏极与有机半导体层之间具有较高的接触电阻，从而降低了薄膜晶体管的电性。

基于此，提供一种可经受多次挠曲而不改变电性表现且具有一定载子迁移率的薄膜晶体管为当前的目标。

实用新型内容

本实用新型提供一种薄膜晶体管以及包括其的阵列基板与显示器，此薄膜晶体管除了可经受多次挠曲而不改变电性表现之外，还具有一定载子迁移率。

本实用新型的其他目的和优点可以从本实用新型所揭露的技术特征中得到进一步的了解。

为达上述之一或部份或全部目的或是其他目的，本实用新型的一实施例提出一种薄膜晶体管，其包括栅极、有机半导体层、栅介电层、源极、漏极以及接面层。有机半导体层与栅极对应地设置。栅介电层设置于栅极与有机半导体层之间。源极以及漏极各自设置于有机半导体层的两侧。接面层设置于有机半导体层与源极以及漏极之间。接面层与源极以及漏极对应地设置。

在本实用新型的一实施例中，上述的薄膜晶体管更包括基板，其中栅极设置于基板与有机半导体层之间。

在本实用新型的一实施例中，上述的薄膜晶体管更包括基板，其中有机半导体层设置于基板与栅极之间。

在本实用新型的一实施例中，上述的有机半导体层设置于源极以及漏极与基板之间。

在本实用新型的一实施例中，上述的源极以及漏极设置于有机半导体层与基板之间。

为达上述之一或部份或全部目的或是其他目的，本实用新型的一实施例提出一种阵列基板，其包括上述的薄膜晶体管，其中接面层与源极走线以及漏极走线对应地设置。

为达上述之一或部份或全部目的或是其他目的，本实用新型的一实施例提出一种显示器，其包括上述的阵列基板。

基于上述，本实用新型的薄膜晶体管藉由将接面层设置于有机半导体层与源极以及漏极之间，使得源极以及漏极中的载子进入到有机半导体层中的难度降低，从而减小源极以及漏极与有机半导体层之间的接触电阻，藉此提高本实用新型的薄膜晶体管的电性表现。

为让本实用新型的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1A是本实用新型的一实施例的薄膜晶体管的流程图。

图1B是本实用新型的另一实施例的薄膜晶体管的流程图。

图1C是本实用新型的又一实施例的薄膜晶体管的流程图。

具体实施方式