[实用新型]一种SiC基MOS器件

说明书

本实用新型公开了一种SiC基MOS器件，包括金属散热底板，所述金属散热底板开设有凹槽，所述凹槽放置有MOS管主体，所述MOS管主体包括引脚，所述金属散热底板开设有两个扣槽，两个所述扣槽开设有滑槽，所述滑槽滑动匹配有压块，所述压块与滑槽之间连接有弹簧，所述金属散热底板铰接有金属散热盒盖，所述金属散热盒盖两侧及顶部均设有散热片，所述金属散热盒盖顶部开设有散热孔，所述金属散热盒盖开设有插槽，所述插槽匹配有吸尘网，所述金属散热盒盖开设有与引脚位置对应的让孔，所述金属散热盒盖连接有两个位置对应扣槽的Z型扣块。

技术领域

本实用新型属于晶体管领域，具体涉及一种SiC基MOS器件。

背景技术

MOS管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

碳化硅(SiC)是目前发展最快的宽禁带功率半导体材料，SiC材料的物理和电学特性相比于传统的Si材料具有明显的优势。SiC具有禁带宽、热导率高、击穿场强高、饱和电子漂移速率高等特点，同时还兼具有极好的物理及化学稳定性、极强的抗辐照能力和机械强度等。因此，基于宽禁带SiC材料的电子器件可用于高温、大功率、高频、高辐射等电力电子领域，并能够充分发挥SiC基器件在节能减排方面所占据的重要优势和突出特点。由此诞生了SiC基MOS器件，SiC基MOS器件具有较高的沟道电阻。

MOS管属于功率器件，尤其是应用在逆变电源、太阳能控制器、放电仪、UPS电源等产品上的MOS管，正常工作时温度很高，如果MOS管散热不良，可能会影响MOS管的寿命，而且对于MOS管的安装更换方便以及保证MOS管安装完成后的稳定性都是现如今需要注意的。

实用新型内容

针对上述背景技术所提出的问题，本实用新型的目的是：旨在提供一种SiC基MOS器件。

为实现上述技术目的，本实用新型采用的技术方案如下：

一种SiC基MOS器件，包括金属散热底板，所述金属散热底板开设有凹槽，所述凹槽放置有MOS管主体，所述MOS管主体包括引脚，所述金属散热底板开设有两个扣槽，两个所述扣槽开设有滑槽，所述滑槽滑动匹配有压块，所述压块与滑槽之间连接有弹簧，所述金属散热底板铰接有金属散热盒盖，所述金属散热盒盖两侧及顶部均设有散热片，所述金属散热盒盖顶部开设有散热孔，所述金属散热盒盖开设有插槽，所述插槽匹配有吸尘网，所述金属散热盒盖开设有与引脚位置对应的让孔，所述金属散热盒盖连接有两个位置对应扣槽的Z型扣块。

进一步限定，所述金属散热底板为可焊锡材质金属散热底板，这样的设计，可通过焊锡快速将金属散热底板进行固定。

进一步限定，所述吸尘网为静电吸尘网，且厚度不超过一毫米，这样的设计，保证吸尘效果的同时，保证透气散热效果。

进一步限定，所述让孔设有多个，且每个所述让孔的位置适配现如今常用规格的引脚位置，这样的设计，增强适用性，适配于更多规格的MOS管主体。

进一步限定，所述散热片经过圆角去棱处理，这样的设计，拿取时不易伤手。

采用本实用新型的有益效果：

1、采用本实用新型的结构设计，通过金属散热底板、散热孔和散热片有效对MOS管主体进行双面散热，散热效果好，散热效率高，且吸尘网的设置，有效防止灰尘通过散热孔进入，对MOS管主体造成伤害，而且通过直接从插槽内抽出，就能快捷的对吸尘网进行更换；