[实用新型]太阳能电池片及太阳能电池

说明书

本实用新型涉及一种太阳能电池片及太阳能电池，太阳能电池片包括硅片基板，包括沿第一方向相背设置的第一表面和第二表面，在所述第一表面和所述第二表面分别掺杂形成至少一个P型掺杂区域和至少一个N型掺杂区域，其中沿所述第一表面的第二方向和所述第二表面的第二方向，所述P型掺杂区域和所述N型掺杂区域交替设置，沿所述第一方向，设置在所述第一表面的所述P型掺杂区域与设置在所述第二表面的所述N型掺杂区域相对设置，所述第一方向与所述第二方向垂直。本实用新型提高了太阳能电池片中载流子的分离和收集能力，提高了太阳能电池片的光电转换效率。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池领域，更具体地，本实用新型涉及一种太阳能电池片及太阳能电池。

背景技术

太阳能电池主要是以半导体材料为基础，并加以电极而形成电导通的器件。

参照图1所示，目前大多数太阳能电池的制造基于硅衬底材料，其制备工艺流程包括：去除硅片表面损伤层、制绒面、形成p型层和n型层，但是现有技术往往是在硅衬底的正面形成p型层，在硅衬底的背面形成n 型层，载流子迁移方向箭头L所示方向，载流子迁移率低，太阳能电池分离和收集载流子的能力弱，光电转换效率不高。

实用新型内容

本实用新型的一个目的是提供一种太阳能电池片及太阳能电池，以解决现有技术中太阳能电池的光电转换效率不高的问题。

根据本实用新型的第一方面，提供一种太阳能电池片，包括：

硅片基板，包括沿第一方向相背设置的第一表面和第二表面，

在所述第一表面和所述第二表面分别掺杂形成至少一个P型掺杂区域和至少一个N型掺杂区域，

其中沿所述第一表面的第二方向和所述第二表面的第二方向，所述P 型掺杂区域和所述N型掺杂区域交替设置，

沿所述第一方向，设置在所述第一表面的所述P型掺杂区域与设置在所述第二表面的所述N型掺杂区域相对设置，所述第一方向与所述第二方向垂直。

可选地，设置在所述第一表面的所述P型掺杂区域和与其相对设置的所述N型掺杂区域构成第一P-N结，设置在所述第一表面的所述P型掺杂区域和与其相邻设置的所述N型掺杂区域构成第二P-N结。

可选地，沿所述第二方向，相邻设置的所述P型掺杂区域和所述N型掺杂区域之间存在预设间距，所述预设间距的距离范围为100nm～15μm。

可选地，在所述第一表面和所述第二表面上均设置多个P型掺杂区域、多个N型掺杂区域，位于同一表面多个P型掺杂区域电连接，位于同一表面的多个N型掺杂区域电连接。

可选地，所述第一表面和所述第二表面均被划分为M个区域，每一所述区域沿所述第二方向的长度一致、每一所述区域沿第三方向的长度一致，所述第三方向与所述第二方向垂直；

每一所述区域被掺杂形成所述P型掺杂区域或者N型掺杂区域，M 为大于或者等于2的偶数。

可选地，在所述第一表面和所述第二表面分别形成减反射层，所述减反射层呈块状结构，每一块所述减反射层覆盖所述P型掺杂区域或所述N 型掺杂区域，每一块所述减反射层的形状与所述P型掺杂区域的形状或者所述N型掺杂区域的形状一致。

可选地，所述硅片基板为单晶硅基板或者多晶硅基板。

可选地，所述硅片基板为P型硅片基板或者为N型硅片基板。

根据本实用新型第二方面，提供一种太阳能电池，包括背板和设置在所述背板上的多个太阳能电池片，多个所述太阳能电池片电连接，多个所述太阳能电池片为第一方面所述的太阳能电池片。