[实用新型]一种MEMS结构有效
| 申请号： | 202022763908.1 | 申请日： | 2020-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN214205840U | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 李冠华;刘端 | 申请（专利权）人： | 安徽奥飞声学科技有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/00 | 分类号： | H04R19/00;H04R19/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230092 安徽省合肥市高新区习友路333*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 结构 | ||
1.一种MEMS结构，其特征在于，包括：
衬底，具有空腔；
振动支撑层，形成在所述衬底上方，并且具有内部区域和外围区域；
压电单元层，形成在所述振动支撑层的所述内部区域上方，所述压电单元层悬置于所述空腔上方，并且所述压电单元层位于所述空腔的投影区域内；
其中，所述振动支撑层的所述外围区域具有波浪形褶皱和贯穿通孔。
2.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述波浪形褶皱具有从所述衬底向外突出的凸起和/或从所述衬底向内凹进的凹槽。
3.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述波浪形褶皱在俯视视角下呈环状。
4.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述贯穿通孔穿透所述振动支撑层，并且位于所述波浪形褶皱的外侧和/或内侧。
5.根据权利要求4所述的MEMS结构，其特征在于，所述贯穿通孔对称设置，或周向均匀间隔设置。
6.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述压电单元层包括：
第一电极层，形成在所述振动支撑层上方；
第一压电层，形成在所述第一电极层上方；
第二电极层，形成在所述第一压电层上方。
7.根据权利要求6所述的MEMS结构，其特征在于，所述第一电极层和所述第二电极层具有至少两个相互隔离的分区，相互对应的所述第一电极层和所述第二电极层的分区构成电极层对，多个所述电极层对依次串联。
8.根据权利要求6所述的MEMS结构，其特征在于，所述第一压电层包括氧化锌、氮化铝、有机压电膜、锆钛酸铅或钙钛矿型压电膜中的一层或多层。
9.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述振动支撑层包括氮化硅、氧化硅、单晶硅、多晶硅构成的单层或者多层复合膜结构。
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