[实用新型]准谐振反激式变换器及其控制器有效

专利信息
申请号: 202022740846.2 申请日: 2020-11-24
公开(公告)号: CN213637504U 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 蔡文結 申请(专利权)人: 深圳市瑞之辰科技有限公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335
代理公司: 深圳市精英专利事务所 44242 代理人: 刘贻盛
地址: 518000 广东省深圳市龙华区民治街道*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 谐振 反激式 变换器 及其 控制器
【权利要求书】:

1.一种准谐振反激式变换器的控制器,准谐振反激式变换器包括有变压器、与所述变压器的初级侧电感连接的开关管,其特征在于,所述准谐振反激式变换器的控制器包括有:

谷底侦测电路,其检测所述准谐振反激式变换器在所述开关管关断后产生的振荡电压并在检测到所述振荡电压的谷底时发出谷底信号;

取样保持电路,其在所述开关管导通时对初级侧电感电流进行电压采样并输出采样电压,并在所述开关管关断时保持输出最后采样获取的采样电压;

TOFF调整电路,其根据所述最后采样获取的采样电压设定关断调整时间,并在所述开关管关断后开始计时直至所述关断调整时间到期之后输出调整结束信号;

谷底有效指示电路,其在接收到所述谷底侦测电路发出的谷底信号和所述TOFF调整电路输出的调整结束信号时发出驱动指示信号;

驱动脉冲产生模块,在接收到所述驱动指示信号时发出触发信号;

驱动器,其根据所述触发信号产生驱动信号以导通所述开关管。

2.如权利要求1所述的准谐振反激式变换器的控制器,其特征在于,所述取样保持电路包括有PMOS管Q119、NMOS管Q120和电容C121,所述PMOS管Q119的源极和NMOS管Q120的源极输入初级侧电感电流的采样电压,PMOS管Q119的漏极和NMOS管Q120的漏极接所述TOFF调整电路的输入端,所述NMOS管Q120的栅极接所述驱动脉冲产生模块的输出端,所述NMOS管Q120的栅极通过一反相器与NMOS管Q119的栅极连接,电容C121的一端接所述TOFF调整电路的输入端,另一端接地。

3.如权利要求1所述的准谐振反激式变换器的控制器,其特征在于,所述TOFF调整电路包括有:

参考电压产生电路,其根据所述取样保持电路输出的采样电压产生并输出一参考电压;

斜坡电压产生电路,其在所述开关管关断后产生并输出一斜坡电压;

比较器U103,其正输入端输入所述参考电压,负输入端输入所述斜坡电压,当所述斜坡电压不低于所述参考电压时输出所述调整结束信号。

4.如权利要求3所述的准谐振反激式变换器的控制器,其特征在于,所述参考电压产生电路包括有放大器U101、放大器U102、电阻R106、电阻R107、电阻R108、NMOS管Q104、NMOS管Q105、NMOS管Q113、NMOS管Q114、PMOS管Q109、PMOS管Q110、PMOS管Q111、PMOS管Q112、PMOS管Q115、PMOS管Q116,所述PMOS管Q115的栅极连接偏置电源VB,漏极接地,源极接电流源IB1和放大器U101的正输入端,放大器U101的输出端接NMOS管Q104的栅极,NMOS管Q104的源极接放大器U101的负输入端并通过电阻R107接地,NMOS管Q104的漏极接PMOS管Q109的漏极、PMOS管Q109的栅极和PMOS管Q110的栅极,PMOS管Q109的源极和PMOS管Q110的源极接稳压电源,PMOS管Q110的漏极接所述比较器U103的正输入端并通过电阻R108接地,所述PMOS管Q116的栅极连接所述取样保持电路的输出端,漏极接地,源极接电流源IB2和放大器U102的正输入端,放大器U102的输出端接NMOS管Q105的栅极,NMOS管Q105的源极接放大器U102的负输入端并通过电阻R106接地,NMOS管Q105的漏极接PMOS管Q111的漏极、PMOS管Q111的栅极和PMOS管Q112的栅极,PMOS管Q111的源极和PMOS管Q112的源极接稳压电源,PMOS管Q112的漏极接NMOS管Q113的漏极、NMOS管Q113的栅极和NMOS管Q114的栅极,NMOS管Q113的源极和NMOS管Q114的源极接地,NMOS管Q114的漏极接所述比较器U103的正输入端。

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