[实用新型]一种在真空环境内传动电池片的传送机构有效
申请号: | 202022736884.0 | 申请日: | 2020-11-20 |
公开(公告)号: | CN213242518U | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙) |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L31/18 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 王锴 |
地址: | 242074 安徽省宣城市经济*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 真空 环境 传动 电池 传送 机构 | ||
本实用新型公开了一种在真空环境内传动电池片的传送机构,包括:真空室,设有一开口:升降装置,包括一端自开口伸进真空室内的升降座和驱动升降座做竖向往复运动的动力源;升降座上开设有通孔;波纹管,连接在真空室内壁和升降座之间;磁流体密封装置,包括连接在升降座上的磁流体容器和一端自升降座上的通孔伸进真空室内的磁流体轴;磁流体轴的一端连接有托取臂,另一端连接有驱动源。托取臂通过升降装置和驱动源分别实现升降运动和旋转运动,进而实现电池片在真空室内的传送,电池片不需要反复进出真空室,避免了电池片因离开真空室而与空气接触影响镀层性质、进而影响电池效率的问题。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池生产设备技术领域,具体涉及一种在真空环境内传动电池片的传送机构。
背景技术
在异质结(Hetero Junction with intrinsic Thinfilm,简称HJT)太阳能电池制造过程中,需要各种的镀膜工艺,镀膜工艺均需要在一定真空度的环境下进行。HJT技术电池的基片为小型硅片,一般需要将硅片在真空环境下进行各种传输等运动。
电池制造工艺一般需要在基片(硅片)上进行若干次镀膜,并非单一膜层,在各个镀膜层工序时,硅片在形成电池片的过程中会经过各个镀膜真空室,因此需要实现一个连续传输过程。现有的生产线在各个镀膜工艺时一般需要将硅片反复进出真空腔室,即硅片会反复交替存在于真空和普通空气两种环境下。由于普通空气中存在各种气体,而硅片在镀膜时又会保持一定的温度,有可能会造成硅片膜层反应影响镀层性质,从而影响整个成品电池片的效率。
实用新型内容
因此,本实用新型要解决的技术问题在于克服现有技术中的电池片在多次镀膜的转运过程中容易暴露在普通空气环境下而影响电池镀膜质量和电池效率的缺陷,从而提供一种在真空环境内传动电池片的传送机构。
为解决上述技术问题,本实用新型的技术方案如下:
一种在真空环境内传动电池片的传送机构,包括:
真空室,设有一开口;
升降装置,包括一端自所述真空室的开口伸进所述真空室内的升降座、以及驱动所述升降座沿所述开口的方向做竖向往复运动的动力源;所述升降座上开设有通孔;
波纹管,连接在所述真空室内壁和所述升降座之间,用于密封所述升降座和所述真空室的开口之间的缝隙;
磁流体密封装置,包括连接在所述升降座位于大气环境一侧的磁流体容器,穿过所述磁流体容器且一端自所述升降座上的通孔伸进所述真空室内的磁流体轴,以及装在所述磁流体容器内的磁流体;所述磁流体轴伸进所述真空室内的一端连接有由所述磁流体轴驱动运动的托取臂,所述磁流体轴的另一端连接有用于驱动所述磁流体轴转动的驱动源,所述驱动源安装在所述升降座上。
进一步地,所述升降座包括与所述动力源的输出端连接的升降板,以及连接在所述升降板上的且一端自所述真空室的开口伸进所述真空室内的筒体;所述筒体背向所述升降板的顶壁上开设有所述通孔,所述磁流体容器位于所述筒体内部且连接在所述筒体的顶壁上。
进一步地,所述磁流体容器通过第一锁紧件固定在所述筒体的顶壁上,所述磁流体容器和所述筒体顶壁的结合面上还设有第一密封圈。
进一步地,所述真空室内固定有位于开口外侧的安装块,所述筒体的顶壁设有水平向外延伸的延伸端,所述波纹管可伸缩地连接在所述安装块和所述延伸端之间。
进一步地,所述安装块通过第二锁紧件固定在所述真空室的内壁上,所述安装块和所述真空室的结合面上还设有第二密封圈。
进一步地,所述驱动源为安装在所述升降板上的伺服电机。
进一步地,所述伺服电机的输出轴和所述磁流体轴通过联轴器连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造