[实用新型]一种多复合层图形化蓝宝石衬底有效
申请号: | 202022679094.3 | 申请日: | 2020-11-18 |
公开(公告)号: | CN213546346U | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 侯想;刘杨;钟梦洁;卢文瑞;刘熠新;梁钢 | 申请(专利权)人: | 福建中晶科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/10;H01L33/32 |
代理公司: | 天津铂茂专利代理事务所(普通合伙) 12241 | 代理人: | 张天翔 |
地址: | 364000 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 复合 图形 蓝宝石 衬底 | ||
1.一种多复合层图形化蓝宝石衬底,其特征在于,包括使用AL2O3材料制成的衬底(1),所述衬底(1)的顶部铺设有ALN材料制成的薄膜(2),所述薄膜(2)的顶部设有多个经过黄光和刻蚀形成的圆锥体(3),所述圆锥体(3)包括上下分层的SiO2部(31)和ALN部(32),且所述SiO2部(31)位于所述ALN部(32)的上方;设光线在薄膜(2)中的波长为λ,所述薄膜(2)的厚度为h,那么所述薄膜(2)的厚度h≥λ/4。
2.根据权利要求1所述的一种多复合层图形化蓝宝石衬底,其特征在于,所述薄膜(2)的顶部设置有N-GaN层(4)。
3.根据权利要求2所述的一种多复合层图形化蓝宝石衬底,其特征在于,所述N-GaN层(4)的顶部设置有源区(5)。
4.根据权利要求3所述的一种多复合层图形化蓝宝石衬底,其特征在于,所述有源区(5)的顶部设置有P-GaN层(6)。
5.根据权利要求2所述的一种多复合层图形化蓝宝石衬底,其特征在于,所述N-GaN层(4)的顶部连接有N型电极(8)。
6.根据权利要求4所述的一种多复合层图形化蓝宝石衬底,其特征在于,所述P-GaN层(6)的顶部连接有P型电极(7)。
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