[实用新型]一种高密度二十引脚集成电路引线框架有效

专利信息
申请号: 202022677974.7 申请日: 2020-11-18
公开(公告)号: CN213692037U 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 潘龙慧;冯军民;江焕辉 申请(专利权)人: 宁波德洲精密电子有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495
代理公司: 宁波奥圣专利代理有限公司 33226 代理人: 陈怡菁
地址: 315194 浙江省宁波*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 高密度 引脚 集成电路 引线 框架
【权利要求书】:

1.一种高密度二十引脚集成电路引线框架,包括框架基板和多列纵向分布的引线框架组,多列所述的引线框架组之间间隔设置并通过纵向筋连接,其特征在于,每列所述的引线框架组内排布有12×2个引线框架单元,所述的引线框架单元包括基岛和分布在所述的基岛外侧的二十个引脚,所述的引脚的宽度范围在0.16-0.4mm。

2.根据权利要求1所述的一种高密度二十引脚集成电路引线框架,其特征在于,所述的引脚按顺时针方向依次划分为四个第一引脚、六个第二引脚、四个第三引脚和六个第四引脚,所述的第一引脚和所述的第三引脚在所述的基岛的上下两侧相对设置,所述的第二引脚和所述的第四引脚在所述的基岛的左右两侧相对设置,每个所述的引脚的内端部均设置有焊点,每个所述的引脚的外端向所述的基岛的上下两侧延伸,所述的第二引脚和所述的第四引脚的焊点的连接线与竖直方向呈15°夹角,同一侧十个所述的引脚的外端部之间通过横筋连接。

3.根据权利要求2所述的一种高密度二十引脚集成电路引线框架,其特征在于,每个所述的引脚的外端部具有相同的宽度,宽度为0.194±0.025mm,相邻所述的引脚的外端部之间的间距为1.0008±0.025mm。

4.根据权利要求3所述的一种高密度二十引脚集成电路引线框架,其特征在于,所述的引脚的外端部在同一水平线的上下表面均开设有预切槽。

5.根据权利要求4所述的一种高密度二十引脚集成电路引线框架,其特征在于,所述的预切槽包括第一预切槽、第二预切槽和第三预切槽,所述的第一预切槽和所述的第三预切槽设置在所述的引脚的下表面,所述的第二预切槽设置在所述的引脚的上表面且位于所述的第一预切槽和所述的第三预切槽之间,所述的第一预切槽、所述的第二预切槽和所述的第三预切槽的横截面均为三角形,开口大小相同,开口深度相同,开口的角度范围在55°-65°,开口深度为0.010-0.038mm,相邻预切槽之间的间距为0.050-0.052mm。

6.根据权利要求2所述的一种高密度二十引脚集成电路引线框架,其特征在于,上下相邻的所述的引线框架单元之间通过引脚延伸部连接,所述的引脚延伸部的一端连接所述的引脚,另一端连接所述的横筋,其中连接上方所述的引线框架单元的称为第一引脚延伸部,连接下方所述的引线框架单元的称为第二引脚延伸部,所述的第一引脚延伸部与所述的第二引脚延伸部交错排列,所述的第一引脚延伸部与所述的第二引脚延伸部之间的间距相等且为0.4058±0.025mm,每个所述的第一引脚延伸部与所述的第二引脚延伸部的重复单元的宽度为1.0008±0.025mm。

7.根据权利要求1所述的一种高密度二十引脚集成电路引线框架,其特征在于,同一列所述的引线框架组内水平放置的两个基岛之间、所述的基岛与所述的纵向筋之间连接有基岛连接筋,所述的基岛向下凹陷,使所述的基岛与所述的引脚之间的深度差为0.203±0.051mm,所述的基岛的厚度为0.203±0.008mm,所述的基岛连接筋与所述的基岛的连接部呈30°斜坡, 在所述的基岛连接筋的下表面且靠近所述的纵向筋的位置设置有纵向预切口,所述的纵向预切口的横截面形状为三角形,开口的角度范围在55°-65°。

8.根据权利要求1所述的一种高密度二十引脚集成电路引线框架,其特征在于,上下相邻的所述的引线框架单元之间的中心距为6.05~6.15mm,同一列所述的引线框架组内左右相邻的引线框架单元之间的中心距为11.45~11.55mm。

9.根据权利要求1所述的一种高密度二十引脚集成电路引线框架,其特征在于,每个所述的纵向筋上分别开设有多个用于释放注胶时应力的通孔。

10.根据权利要求1所述的一种高密度二十引脚集成电路引线框架,其特征在于,所述的框架基板的上下两边分别开设有多个圆形或椭圆形定位孔。

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