[实用新型]一种用于多晶硅还原炉的启动装置

说明书

本实用新型涉及多晶硅生产技术领域，尤其涉及一种用于多晶硅还原炉的启动装置，其包括:支撑体、微波发生器和控制机构；支撑体上设置有行走机构，用于支撑支撑体移动；支撑体上设置有机械臂；微波发生器设置在机械臂上，能够被机械臂驱动移动；微波发生器上具有发射口；发射口用于与还原炉的视镜口对应；控制机构设置在支撑体上，与微波发生器连接，用于控制微波发生器；控制机构与机械臂连接，用于控制机械臂；控制机构上设置有水管，用于冷却水的进出；水管上具有活接头；控制机构上设置气流口，用于充入空气；气流口上具有快速接头；控制机构上设置电源线缆，用于与电源连接。采用本实用新型能够减少启动时间，提升生产效率。

技术领域

本实用新型涉及多晶硅生产技术领域，尤其涉及一种用于多晶硅还原炉的启动装置。

背景技术

多晶硅生产中的硅芯属于半导体，在常温下的电阻率非常高，随着温度的变化很显著，而且随着温度的上升，它的电阻率逐渐减少，即导电能力逐渐增强。多晶硅的生产，首先需要启动，使高阻值硅芯预热、导电、升温，然后再进行还原沉积、生长。

现有技术中启动主要有两种方案，一是为克服硅芯棒的冷电阻，对纯硅芯棒加上高电压使电流强行通过硅芯棒，随着温度升高，电阻率逐渐下降，达到一定温度后再转入中、低控制电源，即高压启动。此种方式比较直接，但其缺点是高压电控制设备比较复杂，加热启动程序也比较复杂，导致生产成本大幅度上升；而且，高压击穿受限于电极绝缘，其电压不能升高(一般只能控制在3500～7500V)，造成启动时间长(平均在3小时左右)，严重影响还原炉在线时间而减少产量。不仅增加了启动电耗，并且电绝缘经常会被击穿，增加了维护工作量和检修成本。二是采用石墨加热、等离子加热、卤素灯加热等外加热方式，将还原炉炉温加热至300℃左右，还原电源输出中压，使硅芯导通，完成启动过程；然后继续加热进行化学气相沉积，完成还原生长；此方式启动，操作麻烦、启动时间长、效率低、启动成功率低、影响硅纯度、还原设备复杂等弊端。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供一种用于多晶硅还原炉的启动装置，主要目的在于减少启动时间，提升生产效率。

为达到上述目的，本实用新型主要提供如下技术方案：

本实用新型的实施例提供一种用于多晶硅还原炉的启动装置，包括:支撑体、微波发生器和控制机构；

所述支撑体上设置有行走机构，用于支撑所述支撑体移动；

所述支撑体上设置有机械臂；

所述微波发生器设置在所述机械臂上，能够被所述机械臂驱动移动；所述微波发生器上具有发射口；所述发射口用于与还原炉的视镜口对应；

所述控制机构设置在所述支撑体上，与所述微波发生器连接，用于控制所述微波发生器；

所述控制机构与机械臂连接，用于控制所述机械臂；

所述控制机构上设置有水管，用于冷却水的进出；所述水管上具有活接头；

所述控制机构上设置气流口，用于充入空气；所述气流口上具有快速接头；

所述控制机构上设置电源线缆，用于与电源连接。

进一步地，还包括：驱动机构；

所述驱动机构与所述行走机构连接，用于驱动所述行走机构；

所述驱动机构与所述控制机构连接，用于控制所述驱动机构。

进一步地，所述发射口上设置有防护构件。

进一步地，所述防护构件为玻璃材质。

进一步地，所述发射口的外壁上设置有隔热材料。

进一步地，所述水管为软管。

进一步地，所述发射口为圆台结构。